[发明专利]一种锡钛酸钡钙基无铅压电陶瓷及其制备工艺

权利要求书

1.一种锡钛酸钡钙基无铅压电陶瓷粉体，其特征在于：组分为Ba_1-xCa_xTi_0.95Sn_0.05O₃，其中x＝0～0.07。

2.根据权利要求1所述的锡钛酸钡钙基无铅压电陶瓷粉体，其特征在于：x＝0、0.01、0.02、0.03、0.04、0.05、0.06或0.07。

3.根据权利要求1或2所述的锡钛酸钡钙基无铅压电陶瓷粉体的制备工艺，其特征在于：按化学通式Ba_1-xCa_xTi_0.95Sn_0.05O₃中元素的化学计量比称取原料：BaCO₃、CaCO₃ 、SnO₂ 和 TiO₂；将所有原料以去离子水为介质球磨10-14h，球磨所得浆料于80℃下保温8～12h 烘干粉料后，在1100～1200℃预烧4～6h，得到Ba_1-xCa_xTi_0.95Sn_0.05O₃粉体。

4.根据权利要求3所述的制备工艺，其特征在于：球磨时间为12-14h，优选13h。

5.根据权利要求3所述的锡钛酸钡钙基无铅压电陶瓷粉体的制备工艺，其特征在于：预烧温度为1100～1200℃，优选为1150℃。

6.根据权利要求3所述的锡钛酸钡钙基无铅压电陶瓷粉体的制备工艺，其特征在于：预烧时间为4.0～6.0h，优选5h。

7.一种锡钛酸钡钙基无铅压电陶瓷，其特征在于：组分为Ba_1-xCa_xTi_0.95Sn_0.05O₃，其中x＝0.0～0.07。

8.根据权利要求7所述的锡钛酸钡钙基无铅压电陶瓷的制备工艺，其特征在于：以权利要求1或2所述的锡钛酸钡钙基无铅压电陶瓷粉体，添加5～8 wt％的PVB 造粒，在100～200MPa 的压强下压制成型；将陶瓷胚体充分排粘后，在空气中于1400～1500℃烧结4～6h，制备出锡钛酸钡钙基陶瓷。

9.根据权利要求9所述的制备工艺，其特征在于：添加6 wt％的PVB 造粒，在150MPa 的压强下压制成型；将陶瓷胚体充分排粘后，在空气中于1430℃烧结5h，制备出压电常数高于400、机电耦合系数达到40%以上，且温度稳定性较好的锡钛酸钡钙基无铅压电陶瓷。

10.由该种压电陶瓷材料制备的压电元件。