[发明专利]一种无压烧结制备钛硅碳陶瓷块体材料的方法无效
| 申请号： | 201310093359.3 | 申请日： | 2013-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN104058749A | 公开（公告）日： | 2014-09-24 |
| 发明（设计）人： | 李方志;汪乾;胡春峰;黄庆;张海斌 | 申请（专利权）人： | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 主分类号： | C04B35/56 | 分类号： | C04B35/56;C04B35/622 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 陈英俊 |
| 地址： | 315201 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 烧结 制备 钛硅碳 陶瓷 块体 材料 方法 | ||
1.一种无压烧结制备钛硅碳陶瓷块体材料的方法，其特征是：以钛硅碳粉为原料，将原料装入模具中，在20MPa～80MPa的压力下冷压成坯体，然后在150MPa～300MPa的压力下冷等静压成型，再将成型后的样品包埋在钛硅碳粉或者SiC粉中以后放入无压烧结炉中，在惰性气体保护条件或真空条件下以2℃/min～100℃/min的升温速率加热至1200℃/min～1700℃烧结0.1小时～4小时，得到钛硅碳块体陶瓷材料。
2.根据权利要求1所述的无压烧结制备钛硅碳陶瓷块体材料的方法，其特征是：所述的钛硅碳原料粉的质量纯度大于等于95%。
3.根据权利要求1所述的无压烧结制备钛硅碳陶瓷块体材料的方法，其特征是：所述的钛硅碳原料粉的粒度为50～1000目。
4.根据权利要求1所述的无压烧结制备钛硅碳陶瓷块体材料的方法，其特征是：所述的无压烧结炉包括管式炉、马弗炉、微波烧结炉。
5.根据权利要求1所述的无压烧结制备钛硅碳陶瓷块体材料的方法，其特征是：在30MPa～50MPa的压力下冷压成坯体。
6.根据权利要求1所述的无压烧结制备钛硅碳陶瓷块体材料的方法，其特征是：在200MPa～300MPa的压力下冷等静压成型。
7.根据权利要求1所述的无压烧结制备钛硅碳陶瓷块体材料的方法，其特征是：所述的升温速率为5℃/min～50℃/min。
8.根据权利要求1所述的无压烧结制备钛硅碳陶瓷块体材料的方法，其特征是：所述的升温速率为10℃/min～30℃/min。
9.根据权利要求1所述的无压烧结制备钛硅碳陶瓷块体材料的方法，其特征是：所述的加热温度为1300℃/min～1500℃。
10.根据权利要求1所述的无压烧结制备钛硅碳陶瓷块体材料的方法，其特征是：所述的烧结时间为0.5小时～2小时。
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