[发明专利]半导体封装件、其制法及用于该半导体封装件的封装材

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体封装件，尤指一种半导体芯片为封装材包覆的半导体封装件及其制法。

背景技术

半导体封装件的制作将半导体芯片电性连接于一例如导线架或封装基板的承载件上，再于该承载件上通过如环氧树脂的封装胶体包覆该半导体芯片，以避免该半导体芯片与外界大气接触，进而避免受到水气或污染物的侵害。

于半导体封装件于运作时，多少会遭受到外界的电磁干扰（Electromagnetic interference,EMI），导致该半导体封装件的电性运作功能不正常，因此影响整体该半导体封装件的电性效能。

为解决前述电磁干扰的问题，遂有于半导体芯片外覆盖金属材的方式提出。如图1所示的半导体封装件1，通过于一承载件10上设置半导体芯片11，再以焊线12电性连接该半导体芯片11与该承载件10；接着设置一网状金属罩13于该承载件10上，以令该金属罩13覆盖该半导体芯片11，且该金属罩13接地该承载件10的接地处100；之后，形成封装材14于该承载件10上，以令该封装材14包覆该金属罩13与该半导体芯片11。最后，加热固化该封装材14以形成封装胶体。

现有半导体封装件1通过该网状金属罩13遮蔽外界电磁干扰该半导体芯片11的运作，以避免该半导体封装件1电性运作功能不正常。

然而，现有半导体封装件1中，需制作该网状金属罩13，因而增加了工艺的复杂度，且需将该网状金属罩13组设于该承载件10上，因而增加组装困难度。

此外，当进行封装工艺时，该封装材14需通过该金属罩13的网孔方能包覆该半导体芯片11，但当该封装材14通过该金属罩13的网孔时容易产生紊流，导致气泡的产生，致使该封装材14中容易产生空洞（void），而于后续加热工艺中产生爆米花效应（popcorn）。

因此，如何克服上述现有技术的种种问题，实已成目前亟欲解决的课题。

发明内容

鉴于上述现有技术的种种缺点，本发明的主要目的在于揭露一种半导体封装件、其制法及用于该半导体封装件的封装材，具有高绝缘阻抗与高散热率，且能抑制电磁干扰。

本发明的半导体封装件，包括：基体；至少一半导体组件，其设于该基体上；以及封装材，其包覆该半导体组件，且该封装材含有金属氧化物。

本发明还提供一种半导体封装件的制法，其包括：于一基体上设置至少一半导体组件；以及于该基体上形成封装材以包覆该半导体组件，其中，该封装材含有金属氧化物。

前述的半导体封装件及其制法中，该半导体封装件为打线式封装件、覆晶式封装件、混合式封装件、嵌埋式封装件或晶圆级封装件。

前述的半导体封装件及其制法中，该基体电性连接至该半导体组件，且该半导体组件为主动组件或被动组件。

前述的半导体封装件及其制法中，该金属氧化物为铁的氧化物、锰的氧化物及锌的氧化物所组成群组的至少一者，如Fe₂O₃、Mn₃O₄、ZnO。

另外，本发明还提供一种封装材，其包括：高分子树脂；以及选自铁的氧化物、锰的氧化物及锌的氧化物所组成群组的至少一者的金属氧化物。

前述的封装材中，该铁的氧化物为Fe₂O₃，该锰的氧化物为Mn₃O₄，该锌的氧化物为ZnO。

前述的封装材中，该高分子树脂为环氧树脂。

由上可知，本发明的半导体封装件及其制法暨封装材中，其通过含金属氧化物的封装材取代现有金属罩，使该封装材具有高绝缘阻抗与高散热率，且能抑制电磁干扰，所以本发明的制法无需制作现有金属罩即可有效防止电磁干扰，因而能简化工艺，且因无需组设现有金属罩，而能轻易完成该半导体封装件的制作。

此外，当进行封装工艺时，该封装材无需通过现有金属罩的网孔即能包覆该半导体组件，所以该封装材于流动中不会产生紊流，因而能避免该封装材产生空洞（void），进而于后续加热工艺中不会产生爆米花效应（popcorn）

附图说明

图1为现有半导体封装件的立体示意图；以及

图2A至图2B为本发明的半导体封装件的制法的剖面示意图；以及

图3至图7为本发明的半导体封装件的其它实施例。

符号说明

1,2,3,4,5,6,7半导体封装件

10,20,50,60,70 承载件

100接地处

11 半导体芯片