[发明专利]半导体发光芯片及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体发光芯片，包括具有第一表面和第二表面的衬底，在所述衬底第一表面有—至少包括n型导电层、发光层和p型导电层的半导体叠层；其特征在于，在所述半导体叠层表面至少有一裸露出部分n型导电层的n型电极台阶、n型电极凹槽和/或n型电极凹孔，所述半导体发光芯片的所有裸露的、具有导电性的表面和侧面被至少一绝缘层所包裹； 

所述绝缘层表面设有裸露的至少一p型电极和至少一第一n型电极；所述p型电极贯穿所述绝缘层与所述p型导电层导电连接；所述绝缘层内设有n型电极互连层，所述第一n型电极贯穿位于所述n型电极互连层上方的所述绝缘层与所述n型电极互连层导电连接，所述n型电极互连层通过至少一贯穿位于所述n型电极互连层下方的所述绝缘层的第二n型电极与所述n型导电层导电连接，所述第二n型电极设在所述n型电极台阶、n型电极凹槽和/或n型电极凹孔内，并与所述n型导电层导电连接，与所述发光层和p型导电层绝缘；所述p型电极与所述第一n型电极、n型电极互连层和第二n型电极间彼此绝缘。

2.根据权利要求1所述的半导体发光芯片，其特征在于，所述半导体发光芯片还包括p型电极互连层，所述 p型电极互连层设置于所述绝缘层中；

所述p型电极包括至少一第一p型电极和至少一第二p型电极，所述第一p型电极贯穿位于所述p型电极互连层上方的所述绝缘层与所述p型电极互连层导电连接，所述p型电极互连层通过贯穿位于所述p型电极互连层下方的所述绝缘层的所述第二p型电极与所述p型导电层导电连接；所述p型电极与所述发光层和n型导电层绝缘。

3.根据权利要求1或2所述的半导体发光芯片，其特征在于，所述p型导电层表面与所述绝缘层之间设有p型电流扩展层，所述p型电流扩展层与所述p型电极导电连接；所述p型电流扩展层包括p型金属扩散阻挡层、p型导电扩展层、p型反射层、p型接触层中的一种或多种；和/或，

所述n型电极台阶的表面、n型电极凹槽的底面和/或n型电极凹孔的底面与所述绝缘层之间设有n型电流扩展层，所述n型电流扩展层与所述第二n型电极导电连接；所述n型电流扩展层包括n型金属扩散阻挡层、n型导电扩展层、n型反射层、n型接触层中的一种或多种。

4.根据权利要求1或2所述的半导体发光芯片，其特征在于，所述绝缘层的部分或全部含有一光反射层；所述光反射层沿着所述半导体叠层表面和侧面分布位于所述绝缘层内或位于所述绝缘层的裸露表面；所述光反射层与所述半导体叠层、p型电极、第一n型电极、第二n型电极及n型电极互连层间彼此绝缘。

5.根据权利要求1或2所述的半导体发光芯片，其特征在于，裸露在所述绝缘层表面的所述p型电极的位置处设有一与所述p型电极导电连接并紧贴在所述绝缘层表面的p型焊垫；和/或

裸露在所述绝缘层表面的所述第一n型电极的位置处设有一与所述第一n型电极导电连接并紧贴在所述绝缘层表面的n型焊垫。

6.根据权利要求5所述的半导体发光芯片，其特征在于，所述p型焊垫与所述n型焊垫之间设有至少—紧贴在所述绝缘层表面的阻焊层，所述阻焊层与所述n型焊垫和p型焊垫之间彼此绝缘。

7.根据权利要求1或2所述的半导体发光芯片，其特征在于，在所述半导体发光芯片四周有一内凹；所述内凹位于所述半导体发光芯片的所述半导体叠层一侧，所述内凹的底面位于所述衬底第一表面或所述衬底内。

8.根据权利要求7所述的半导体发光芯片，其特征在于，所述内凹处裸露的衬底表面或衬底表面和侧面的部分或全部被一光反射层所覆盖，或被至少一绝缘层所包裹；所述绝缘层的部分或全部含有一光反射层；所述光反射层沿着所述内凹处裸露的衬底表面或衬底表面和侧面分布位于所述绝缘层内或位于所述绝缘层的裸露表面；

所述光反射层与所述半导体叠层、p型电极、第一n型电极、第二n型电极及n型电极互连层间彼此绝缘。