[发明专利]一种双层减反膜晶体硅太阳能电池的制备方法

权利要求书

1.一种双层减反膜晶体硅太阳能电池的制备方法，其中，包括以下步骤：

a）在硅片的正面形成绒面；

b）在所述硅片正面形成P扩散层，然后去除所述硅片正面的PSG和周边P扩散层；

c）在所述硅片正面形成第一减反膜；

d）在所述第一减反膜上形成第二减反膜；

e）在所述硅片背面形成背电极和铝背场；

f）在所述硅片正面形成正电极；

其特征在于：

选择性执行步骤g）～i）中的至少一个，

在所述步骤b）之后包括：步骤g）向所述硅片进行第一含氢基团扩散；

在所述步骤c）之后包括：步骤h）向所述第一减反膜进行第二含氢基团扩散；

在所述步骤d）之后包括：步骤i）向所述第二减反膜进行第三含氢基团扩散。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其中，所述步骤g）进一步包括：

g1）将炉管抽真空；

g2）充入纯氨气或者氢气；

g3）启动射频电源进行气体射频放电。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其中，所述抽真空时，保持真空状态5s～30s。

4.根据权利要求2所述的制备方法，其中，所述射频放电的射频功率范围为3000W～7000W。

5.根据权利要求2所述的制备方法，其中，所述射频放电的时间范围为20s～400s。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其中，所述步骤c）进一步包括：

c1）将炉管抽真空；

c2）充入硅烷和氨气；

c3）在所述硅片正面形成第一减反膜。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其中，所述抽真空时，保持真空状态5s～30s。

8.根据权利要求6所述的制备方法，其中，所述射频放电的射频功率范围为3000W～7000W。

9.根据权利要求6所述的制备方法，其中，所述第一减反膜的厚度范围为5nm～30nm。

10.根据权利要求6所述的制备方法，其中，所述第一减反膜的折射率范围为2.2～2.45。

11.根据权利要求1所述的制备方法，其中，所述步骤h）进一步包括：

h1）将炉管抽真空；

h2）充入纯氨气或者氢气；

h3）启动射频电源进行射频放电。

12.根据权利要求11所述的制备方法，其中，所述抽真空时，保持真空状态5s～30s。

13.根据权利要求11所述的制备方法，其中，所述射频放电的射频功率范围为3000W～7000W。

14.根据权利要求11所述的制备方法，其中，所述射频放电的时间范围为10s～300s。

15.根据权利要求1所述的制备方法，其中，所述步骤d）进一步包括：

d1）将炉管抽真空；

d2）充入硅烷和氨气；

d3）在所述第一减反膜上形成第二减反膜。

16.根据权利要求15所述的制备方法，其中，所述抽真空时，保持真空状态5s～30s。

17.根据权利要求15所述的制备方法，其中，所述射频放电的射频功率范围为3000W～7000W。

18.根据权利要求15所述的制备方法，其中，所述第二减反膜的厚度范围为50nm～80nm。

19.根据权利要求15所述的制备方法，其中，所述第二减反膜的折射率范围为1.85～2.15。

20.根据权利要求1所述的制备方法，其中，所述步骤i）进一步包括：

i1）将炉管抽真空；

i2）充入纯氨气或者氢气；

i3）启动射频电源进行射频放电。

21.根据权利要求20所述的制备方法，其中，所述抽真空时，保持真空状态5s～30s。

22.根据权利要求20所述的制备方法，其中，所述射频放电的射频功率范围为3000W～7000W。