[发明专利]低杂散电磁辐射的新型高效能高频脉冲变压器有效
申请号: | 201310095046.1 | 申请日: | 2013-03-22 |
公开(公告)号: | CN104064322B | 公开(公告)日: | 2018-01-23 |
发明(设计)人: | 王勇 | 申请(专利权)人: | 高屋科技(深圳)有限公司 |
主分类号: | H01F19/08 | 分类号: | H01F19/08;H01F27/28;H01F27/30;H01F27/36 |
代理公司: | 深圳市顺天达专利商标代理有限公司44217 | 代理人: | 高占元 |
地址: | 广东省深圳市福田区梅*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 低杂散 电磁辐射 新型 高效能 高频 脉冲 变压器 | ||
1.低杂散电磁辐射的高效能新型高频脉冲变压器;其特征是:平面变压器的单层初级绕组层间内嵌单层次级绕组;同轴结构变压器的初次级绕组呈同轴分布;控制初级绕组中的电流方向;充分利用平面变压器初级绕组的每一层或同轴结构变压器初级绕组每一匝导线产生的磁通向次级绕组传输能量;在有效提升变压器传输效率和功率密度的同时,大幅降低变压器因外部磁通的杂散辐射而造成的电磁辐射;同轴结构变压器内嵌屏蔽层可以更加有效地降低残留的外部合成磁通产生的电磁辐射;其中,平面变压器的单层初级绕组层间内嵌单层次级绕组,将初级绕组和次级绕组分成多层制作,且次级绕组的层数比初级绕组的层数少一层,在两层初级绕组层之间嵌入初级绕组层,最顶层和最底层均为初级绕组,根据与次级绕组层相邻的初级绕组层电流反相的原则连接初级绕组的层间接线;同轴结构变压器的初次级绕组呈同轴分布,同轴导线的内导体5-1为变压器的初级绕组,外导体5-2为变压器的次级绕组,导线间平行分布,控制初级绕组的接线,使得相邻导线的电流反相。
2.按照权利要求1所述的低杂散电磁辐射的高效能新型高频脉冲变压器,平面变压器的初次级绕组具有显著特点;其特征是:在单层的初级绕组1-1和单层的初级绕组1-2的层间嵌入单层的次级绕组2-1,初级绕组的层数比次级绕组多一层,堆叠时,线圈总成的最顶层和最底层都是初级绕组。
3.按照权利要求1所述的低杂散电磁辐射的高效能新型高频脉冲变压器,同轴结构变压器的初次级绕组呈同轴分布;其特征是:同轴导线的内导体为初级绕组5-1,外导体为次级绕组5-2,变压器绕组的分布呈3D立体结构。
4.按照权利要求1所述的低杂散电磁辐射的高效能新型高频脉冲变压器,控制绕组中的电流方向具有显著特点;其特征是:初级绕组层间嵌入次级绕组层的平面变压器结构时,初级绕组的层间电流反相1-3;同轴结构变压器时,相邻的内导体电流反相。
5.按照权利要求1所述的低杂散电磁辐射的高效能新型高频脉冲变压器,平面变压器利用初级绕组的层间合成磁通向次级绕组传输能量;其特征是:初级绕组的每一匝导线产生的磁通3-1,层间电流反相后,初级绕组的层间合成磁通3-3是两层磁通的相互增强;层间的外部合成磁通3-2相互抵消而衰减。
6.按照权利要求1所述的低杂散电磁辐射的高效能新型高频脉冲变压器,内嵌屏蔽层;其特征是:同轴结构变压器同轴心地内嵌屏蔽层5-3。
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