[发明专利]一种采用噪声抵消技术的低功耗低噪声放大器有效
| 申请号： | 201310095232.5 | 申请日： | 2013-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN103219951A | 公开（公告）日： | 2013-07-24 |
| 发明（设计）人： | 李治;孙利国;黄鲁 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | H03F1/26 | 分类号： | H03F1/26 |
| 代理公司： | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人： | 成金玉;顾炜 |
| 地址： | 230026 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 采用 噪声 抵消 技术 功耗 低噪声放大器 | ||
1.一种采用噪声抵消技术的低功耗低噪声放大器，其特征在于：包括平衡非平衡变压器(1)、电容交叉耦合的共栅放大级(2)、前馈噪声抵消级(3)、主共栅放大级(4)和负载阻抗(5)；电容交叉耦合的共栅放大级(2)和主共栅放大级(4)级联；平衡非平衡变压器(1)的两个平衡输出端与电容交叉耦合的共栅放大级(2)和主共栅放大级(4)的输入端直接耦合，即平衡非平衡变压器(1)的两个平衡输出端与两级共栅放大器的源级相连，同时平衡非平衡变压器(1)两个平衡输出端与前馈噪声抵消级(3)的栅端通过电容耦合方式连接；前馈噪声抵消级(3)的漏端连接至电容交叉耦合的共栅放大级(2)的漏端，并通过电容耦合连接至主共栅放大级(4)的栅极；负载阻抗(5)与主共栅放大级(4)的漏极相接；
电容交叉耦合的共栅放大级(2)采用两个相同的N型晶体管NM1和NM2作为输入放大管，NM1和NM2的栅端分别通过大电阻R1和R2接到偏置电压vb1，电容C1的两端分别接NM1的源级和NM2的栅极，电容C2的两端分别接NM2的源级和NM1的栅极；
主共栅放大级(4)用两个相同的N型晶体管NM3和NM4作为输入放大管，NM1和NM2的栅端分别通过大电阻R3和R4接到偏置电压vb2；
平衡非平衡变压器(1)的单端输入1连接至信号源，平衡输出端2直接耦合到NM1的源级和NM4的源级，平衡输出端3直接耦合到NM2的源级和NM3的源级，第4端和第5端接地；
前馈噪声抵消级(3)由两个相同的P型晶体管PM1和PM2组成，PM1和PM2的源级接到电源，PM1的漏极与NM1的漏极相连并通过电容C5耦合到NM3，PM2的漏极与NM2的漏极相连并通过电容C6耦合到NM4，PM1和PM2的栅极分别通过大电阻R5和R6接到偏置电压vb3；
电容交叉耦合的共栅放大级(2)和前馈噪声抵消级(3)通过电容耦合，C4的两端分别接到NM1的源级和PM2的栅极，C3的两端分别接到NM2的源级和PM1的栅极；
负载阻抗(5)由阻抗Z1和Z2组成，由电阻，电感，电容无源器件中的一种或者几种组合而成，Z1的两端分别接到电源和NM3的漏极，Z2的两端分别接到电源和NM4的漏极。
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