[发明专利]薄膜晶体管、其制造方法、显示单元和电子设备

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，包括：

栅电极和一对源-漏电极，被设置在衬底上；

氧化物半导体层，被设置在所述栅电极与所述一对源-漏电极之间，所述氧化物半导体层形成沟道；

保护膜，被设置在所述衬底上方的整个表面上；以及

栅极绝缘膜，被设置在所述氧化物半导体层的栅电极侧上，所述栅极绝缘膜具有部分或全部被覆盖有所述一对源-漏电极或被覆盖有所述保护膜的端面。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述栅电极、所述栅极绝缘膜、所述氧化物半导体层、所述一对源-漏电极和所述保护膜以所列顺序被设置在所述衬底上。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其中，所述一对源-漏电极覆盖所述栅极绝缘膜的整个所述端面和从所述氧化物半导体层暴露出的表面。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述氧化物半导体层、所述栅极绝缘膜、所述栅电极、所述保护膜和所述一对源-漏电极以所列顺序被设置在所述衬底上。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述保护膜覆盖所述栅极绝缘膜的整个所述端面和从所述氧化物半导体层暴露出的表面。

6.一种制造薄膜晶体管的方法，所述方法包括：

在衬底上形成栅电极；

在所述衬底和所述栅电极上方的整个表面上形成栅极绝缘膜；

在所述栅极绝缘膜上形成氧化物半导体层；

去除所述栅极绝缘膜的一部分以形成端面；

形成从所述氧化物半导体层上到所述衬底上的一对源-漏电极；以及

在所述衬底上方的整个表面上形成保护膜。

7.一种制造薄膜晶体管的方法，所述方法包括：

在衬底上形成栅电极；

在所述衬底和所述栅电极上方的整个表面上形成栅极绝缘膜；

在所述栅极绝缘膜上形成氧化物半导体层；

去除所述栅极绝缘膜的一部分以形成端面；

在所述氧化物半导体层上形成一对源-漏电极；以及

形成与所述栅极绝缘膜的所述端面接触并覆盖在所述衬底上方的整个表面的保护膜。

8.一种制造薄膜晶体管的方法，所述方法包括：

在衬底上形成氧化物半导体层；

在所述氧化物半导体层上形成栅极绝缘膜；

在所述栅极绝缘膜上形成栅电极；

形成从所述栅电极上到所述衬底上的保护膜；以及

在未形成所述栅电极的区域中形成一对源-漏电极，所述一对源-漏电极被连接至所述氧化物半导体层。

9.一种具有多个显示器件和驱动所述显示器件的多个薄膜晶体管的显示单元，所述多个薄膜晶体管各自包括：

栅电极和一对源-漏电极，被设置在衬底上；

氧化物半导体层，被设置在所述栅电极与所述一对源-漏电极之间，所述氧化物半导体层形成沟道；

保护膜，被设置在所述衬底上方的整个表面上；以及

栅极绝缘膜，被设置在所述氧化物半导体层的栅电极侧上，所述栅极绝缘膜具有部分或全部被覆盖有所述一对源-漏电极或被覆盖有所述保护膜的端面。

10.根据权利要求9所述的显示单元，其中，所述栅极绝缘膜在所述多个薄膜晶体管的相邻薄膜晶体管之间被隔开。

11.一种具有显示单元的电子设备，所述显示单元具有多个显示器件和驱动所述显示器件的多个薄膜晶体管，所述多个薄膜晶体管各自包括：

栅电极和一对源-漏电极，被设置在衬底上；

氧化物半导体层，被设置在所述栅电极与所述一对源-漏电极之间，所述氧化物半导体层形成沟道；

保护膜，被设置在所述衬底上方的整个表面上；以及

栅极绝缘膜，被设置在所述氧化物半导体层的栅电极侧上，所述栅极绝缘膜具有部分或全部被覆盖有所述一对源-漏电极或被覆盖有所述保护膜的端面。