[发明专利]单晶硅生长用坩埚及其制造方法以及单晶硅的制造方法无效
| 申请号： | 201310095363.3 | 申请日： | 2013-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN103374748A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 矶村敬一郎;山崎宽司;齐藤刚 | 申请（专利权）人： | 日本精细陶瓷有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/10 | 分类号： | C30B15/10;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 | 代理人： | 徐川;张颖玲 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 单晶硅 生长 坩埚 及其 制造 方法 以及 | ||
1.一种单晶生长用坩埚，为用于通过提拉法制造单晶硅的单晶形成用坩埚，其特征在于，包括：
低温熔融层，形成在与熔融硅接触一侧的坩埚主体表面，且在低于由无定形耐火物材质制成的坩埚主体的烧结温度的温度下熔融；
涂层，通过在所述低温熔融层上涂布含有氮化硅的浆料并烧结，表现出孔隙率为50％以下，层厚度为0.1mm以上。
2.根据权利要求1所述的单晶生长用坩埚，其特征在于，所述低温熔融层含有二氧化硅或氧化铝。
3.根据权利要求1所述的单晶生长用坩埚，其特征在于，所述涂层的层厚度为0.5mm以上。
4.根据权利要求1所述的单晶生长用坩埚，其特征在于，所述无定形耐火物材质含有氧化铝、莫来石或二氧化硅中的任一种。
5.根据权利要求1所述的单晶生长用坩埚，其特征在于，所述坩埚主体由所述无定形耐火物材质制成的未烧结体构成。
6.根据权利要求1所述的单晶生长用坩埚，其特征在于，所述坩埚主体由将平均粒径2μm以下的所述无定形耐火物材质铸造成型并烧结的烧结体构成。
7.一种单晶生长用坩埚的制造方法，为用于通过提拉法制造单晶硅的单晶生长用坩埚的制造方法，其特征在于，包括：
形成由无定形耐火物材质制成的坩埚主体的工序；
形成低温熔融层的工序，所述低温熔融层形成在与熔融硅接触一侧的坩埚主体表面，且在低于坩埚主体的烧结温度的温度下熔融；
形成涂层的工序，所述涂层通过在所述低温熔融层上涂布含有氮化硅的浆料并烧结，表现出孔隙率为50％以下，层厚度为0.1mm以上。
8.根据权利要求7所述的单晶生长用坩埚的制造方法，其特征在于，所述低温熔融层含有二氧化硅或氧化铝。
9.根据权利要求7所述的单晶生长用坩埚的制造方法，其特征在于，所述涂层的层厚度为0.5mm以上。
10.根据权利要求7所述的单晶生长用坩埚的制造方法，其特征在于，所述无定形耐火物材质含有氧化铝、莫来石或二氧化硅中的任一种。
11.根据权利要求7所述的单晶生长用坩埚的制造方法，其特征在于，所述坩埚主体由所述无定形耐火物材质制成的未烧结体构成。
12.根据权利要求7所述的单晶生长用坩埚的制造方法，其特征在于，所述坩埚主体由将平均粒径2μm以下的所述无定形耐火物材质铸造成型并烧结的烧结体构成。
13.一种单晶硅的制造方法，为通过提拉法制造单晶硅的方法，其特征在于，包括：
使用单晶生长用坩埚，通过在所述低温熔融层上涂布含有氮化硅的浆料并烧结，表现出孔隙率为50％以下，层厚度为0.1mm以上，所述单晶生长用坩埚包括：低温熔融层，形成在与熔融硅接触一侧的坩埚主体表面，且在低于由无定形耐火物材质制成的坩埚主体的烧结温度的温度下熔融；和涂层，
在所述单晶生长用坩埚内部使硅熔融的工序；
在熔融的硅中浸入晶种使单晶硅生长的工序；以及
将生长的单晶硅进行提拉的工序。
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