[发明专利]半导体器件制造方法在审
| 申请号： | 201310095365.2 | 申请日： | 2013-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN104064469A | 公开（公告）日： | 2014-09-24 |
| 发明（设计）人： | 唐兆云;闫江 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件制造方法，包括：
在衬底上形成具有不同宽度的多个硬掩模层图形；
对衬底注入掺杂剂并退火，在衬底中形成埋氧层；
以硬掩模层图形为掩模，刻蚀衬底形成不同宽度的多个鳍片；
去除硬掩模层图形。
2.如权利要求1的半导体器件制造方法，其中，形成具有不同宽度的多个硬掩模层图形的步骤进一步包括：
在衬底上形成多个第一硬掩模层图形，具有多个不同宽度的开口；
在开口中侧壁上形成多个第二硬掩模层图形；
在开口中填充第三硬掩模层；
去除第一和第二硬掩模层图形，在衬底上留下第三硬掩模层构成的多个硬掩模层图形。
3.如权利要求2的半导体器件制造方法，其中，第一硬掩模层图形的材料包括多晶硅、非晶硅、非晶锗、非晶碳及其组合，第二硬掩模层图形的材料包括氧化硅、氮氧化硅、高k材料及其组合。
4.如权利要求2的半导体器件制造方法，其中，第三硬掩模层的材料包括氮化硅、氮氧化硅、类金刚石无定形碳、非晶碳、非晶锗及其组合。
5.如权利要求2的半导体器件制造方法，其中，在开口中填充第三硬掩模层之后进一步包括：平坦化第三硬掩模层直至暴露第一硬掩模层图形。
6.如权利要求2的半导体器件制造方法，其中，在衬底和第一硬掩模层图形之间还形成具有衬垫层。
7.如权利要求1的半导体器件制造方法，其中，掺杂剂至少包括氧。
8.如权利要求1的半导体器件制造方法，其中，注入能量为50～150KeV，注入剂量为1e17～5e18cm-2。
9.如权利要求1的半导体器件制造方法，其中，在1000～1200摄氏度下执行退火30s～2min。
10.如权利要求2的半导体器件制造方法，其中，通过调节第二硬掩模层图形的厚度来控制第三硬掩模层构成的多个硬掩模层图形的宽度。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
