[发明专利]折射率渐变的光子晶体发光二极管结构

权利要求书

1.一种折射率渐变的光子晶体发光二极管结构，其包括：

一衬底；

一成核层，该成核层制作在衬底的上面；

一缓冲层，该缓冲层制作在成核层的上面；

一n型接触层，该n型接触层制作在缓冲层的上面，该n型接触层的一侧形成有一台面；

一活性发光层，该活性发光层制作在n型接触层台面另一侧的上面；

一p型电子阻挡层，该p型电子阻挡层制作在活性发光层的上面；

一p型接触层，该p型接触层制作在p型电子阻挡层的上面；

一折射率渐变阵列式光子晶体，该折射率渐变阵列式光子晶体制作在p型接触层上；

一负电极，该负电极制作在n型接触层一侧的台面的上面；

一正电极，该正电极制作在折射率渐变阵列式光子晶体的上面。

2.如权利要求1所述的折射率渐变的光子晶体发光二极管结构，其中所述的衬底的材料为C面、R-面或A-面的氧化铝单晶、6H-SiC或4H-SiC以及晶格常数接近于氮化物半导体的单晶氧化物。

3.如权利要求1所述的折射率渐变的光子晶体发光二极管结构，其中所述的折射率渐变阵列式的光子晶体为折射率渐变的阵列式孔状光子晶体结构。

4.如权利要求3所述的折射率渐变的光子晶体发光二极管结构，其中所述的折射率渐变阵列式的光子晶体是通过电子束曝光、激光全息曝光干涉、纳米压印或者聚苯乙烯球的方式制作。

5.如权利要求4所述的折射率渐变的光子晶体发光二极管结构，其中所述的折射率渐变阵列式的光子晶体是通过感应耦合等离子体刻蚀的方法获得。

6.如权利要求5所述的折射率渐变的光子晶体发光二极管结构，其中所述的折射率渐变阵列式的光子晶体的晶格常数为100-10000纳米；折射率渐变阵列式的光子晶体的孔深为50-2000纳米；折射率渐变阵列式的光子晶体孔阵列的排布为三角形、方形或六边形。