[发明专利]电阻式非挥发性内存装置有效
申请号: | 201310096514.7 | 申请日: | 2013-03-25 |
公开(公告)号: | CN104078562A | 公开(公告)日: | 2014-10-01 |
发明(设计)人: | 张文岳 | 申请(专利权)人: | 华邦电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L45/00 | 分类号: | H01L45/00;G11C13/00 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 贾磊 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电阻 挥发性 内存 装置 | ||
1.一种电阻式非挥发性内存装置,其特征在于,所述装置包括:
一底电极接触插塞;
一底电极,设置于该底电极插塞上,且与该底电极插塞接触;
一电阻转态层,设置于该底电极上;
一顶电极,设置于该电阻转态层上;以及
一顶电极接触插塞,设置于该顶电极上,且与该顶电极接触,其中该底电极接触插塞和该顶电极接触插塞沿一上视方向以一距离彼此隔开。
2.如权利要求1所述的电阻式非挥发性内存装置,其特征在于,该顶电极接触插塞与该顶电极之间的一第一接触面积大于该底电极接触插塞与该底电极之间的一第二接触面积。
3.如权利要求2所述的电阻式非挥发性内存装置,其特征在于,该底电极、该电阻转态层和该顶电极构成一金属-绝缘体-金属叠层,且该金属-绝缘体-金属叠层沿该上视方向的一上视形状包括正方形或长方形。
4.如权利要求1所述的电阻式非挥发性内存装置,其特征在于,该底电极、该电阻转态层和该顶电极构成一金属-绝缘体-金属叠层,且该金属-绝缘体-金属叠层沿该上视方向的一上视形状为包括彼此相对的一宽边和一窄边的一非对称形状。
5.如权利要求4所述的电阻式非挥发性内存装置,其特征在于,该顶电极接触插塞设置接近该宽边,且该底电极接触插塞设置接近该窄边。
6.如权利要求4所述的电阻式非挥发性内存装置,其特征在于,该金属-绝缘体-金属叠层的该上视形状包括三角形、梯形或多边形。
7.如权利要求1所述的电阻式非挥发性内存装置,其特征在于,该金属-绝缘体-金属叠层的位于该宽边和该窄边之间的一中心线将该金属-绝缘体-金属叠层分为包含该窄边的一第一半部和包含该宽边的一第二半部,其中该第一半部的面积小于该第二半部的面积。
8.如权利要求1所述的电阻式非挥发性内存装置,其特征在于,该底电极接触插塞的一第一长轴方向和该顶电极接触插塞的一第二长轴方向彼此平行且不重合。
9.如权利要求8所述的电阻式非挥发性内存装置,其特征在于,该底电极接触插塞沿该第一长轴方向的一第一剖面和该顶电极接触插塞沿该第二长轴方向的一第二剖面两者不共平面。
10.如权利要求1所述的电阻式非挥发性内存装置,其特征在于,沿该上视方向看去,该顶电极接触插塞和该底电极接触插塞两者不对齐。
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