[发明专利]一种降低阴影和硬质点的多晶硅铸锭热场结构及方法有效
| 申请号： | 201310096662.9 | 申请日： | 2013-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN103184516A | 公开（公告）日： | 2013-07-03 |
| 发明（设计）人： | 李桧林;杨晓生;段金刚 | 申请（专利权）人： | 湖南红太阳光电科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B28/06 | 分类号： | C30B28/06;C30B29/06 |
| 代理公司： | 长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113 | 代理人： | 马强 |
| 地址： | 410205 湖南省*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 降低 阴影 质点 多晶 铸锭 结构 方法 | ||
1.一种降低阴影和硬质点的多晶硅铸锭热场结构，其特征在于，它包括隔热笼（1）；所述隔热笼（1）内设有底座（9）；所述底座（9）上设有石墨块（8）；所述石墨块（8）上设有由石墨护板（4）包裹的坩埚（5）；所述坩埚（5）上方设有顶部加热器（2），坩埚（5）四周环设有侧部加热器（3）；所述侧部加热器（3）的高度b为380～420mm；所述顶部加热器（2）与侧部加热器（3）顶端的垂直距离a为180～200mm。
2.如权利要求1所述的热场结构，其特征在于，所述坩埚（5）为G5加高坩埚，其高度为550～650mm。
3.如权利要求1所述的热场结构，其特征在于，所述隔热笼（1）底部设有冷却管（7）。
4.一种利用权利要求1所述热场结构降低阴影和硬质点的多晶硅铸锭方法，其特征在于，所述方法是将硅料放入坩埚中铸锭，投料量为580～680kg；铸锭工艺中长晶各阶段的参数如下，且隔热笼在每个阶段提升：
G1阶段：长晶时间为0.5～1.5h、温度设定值为1430～1440℃、隔热笼提升5～8cm；
G2阶段：长晶时间为2～5h、温度设定值为1430～1440℃、隔热笼提升7～10cm；
G3阶段：长晶时间为5～6h、温度设定值为1428～1436℃、隔热笼提升9～12cm；
G4阶段：长晶时间为0.5～1.5h、温度设定值为1426～1432℃、隔热笼提升11～14cm；
G5阶段：长晶时间为03～5h、温度设定值为1422～1430℃、隔热笼提升14～17cm；
G6阶段：长晶时间为4～6h、温度设定值为1412～1420℃、隔热笼提升17～20cm；
G7阶段：长晶时间为4～6h、温度设定值为1404～1410℃、隔热笼提升19～21cm；
G8阶段：长晶时间为9～13h、温度设定值为1400～1408℃、隔热笼提升19～21cm；
G9阶段：长晶时间为3～5h、温度设定值为1396～1405℃、隔热笼提升19～21cm。
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