[发明专利]雾化异丙醇基片干燥设备

说明书

技术领域

本发明涉及一种基片干燥工艺设备，尤其是雾化异丙醇基片干燥设备，该设备可以满足半导体、太阳能和LED/LCD等行业的基片干燥要求，克服基片碎片率较高的缺陷。

背景技术

目前，用于基片干燥主要采用热烘干、旋转干燥和异丙醇蒸汽干燥这三种方式。热烘干和旋转干燥由于易产生水迹，并且旋转导致碎片率较高，因此这两种方式相对落后，一般半导体厂已经很少出现此类设备。异丙醇蒸汽干燥可以有效解决水迹和碎片的问题，但是由于采用较高浓度的异丙醇蒸汽，在安全性上必须非常小心，并且处理后的基片表面会带有很强的静电，更加容易吸附小颗粒，往往会使基片产生二次污染。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是：提供一种雾化异丙醇基片干燥设备，不但可常温雾化，而且可去静电，防止二次污染。

本发明通过下述技术方案解决所述的技术问题：一种雾化异丙醇基片干燥设备，由电气控制，包括外壳、干燥槽体、异丙醇存放罐、雾化装置和氮气加热器，放入基片花篮在密闭的干燥槽体内干燥，其中，所述的雾化装置由喷雾盖、和分别连接喷雾盖和异丙醇存放罐的雾化管道构成，一去静电装置安装在喷雾盖上；所述的干燥槽体内设有顶升支架，上口四面有溢流道，四周板不垂直向内有斜度，槽底有倾斜的孔板，且底部带有纯水进水的注水管和带有可调速排放阀的排水管。

所述的顶升支架倾斜，底部横杆带有一定的倾斜角，两侧带导向，基片花篮放入后，基片被底部横杆顶起，并相应的倾斜。

所述的喷雾盖可由气缸驱动，与氮气加热器连接，其内集成了雾化喷头和去静电装置。

所述的雾化管道由316EP不锈钢，氟塑料制成。

本发明的工作原理是：先对干燥槽体的槽体经纯水清洗并放空；然后，放入基片花篮，定位于顶升支架上；关闭槽盖并从底部注水至浸没基片；再从槽体顶部引入通过雾化产生的异丙醇；可控的缓慢向下排水，直至液面脱离基片底部；引入加热氮气对基片进行热吹扫，并消除基片表面静电；打开喷雾盖，完成基片干燥。

本发明的优越性在于：不但可常温雾化干燥基片，而且可去静电，防止基片二次污染，并且整个过程基片没有发生运动，可以最大程度的预付碎片。

附图说明

附图1本发明结构示意图；

图中标号说明：

1——干燥槽体；    11——溢流道；    12——注水管；    13——排水管；

2——顶升支架；

3——喷雾盖；

4——去静电装置；

5——雾化管道；

6——氮气加热器；

7——异丙醇存放罐；

8——孔板；

9——基片花篮。

具体实施方式

请参阅附图1本发明结构示意图：一种雾化异丙醇基片干燥设备，由电气控制，包括干燥槽体1、异丙醇存放罐7、雾化装置和氮气加热器6，基片花篮9放在密闭的干燥槽体1内干燥，其中，

所述的雾化装置由喷雾盖3、和分别连接喷雾盖3和异丙醇存放罐7的雾化管道5构成，一去静电装置4安装在喷雾盖3；

所述的干燥槽体1内设有倾斜的顶升支架2，上口四面有溢流道11，四周板不垂直向内有斜度，槽底设有倾斜的孔板8，且底部带有大流量进水口的纯水注水管12和带有可调速排放阀的排水管13。干燥槽体1和倾斜的顶升支架2均由兼容异丙醇且不会产生沾污的材料制成。

进水后通过槽体底部的孔板8可有效的减少液面波动。采用雾化常温的异丙醇，通过密闭干燥槽体1对基片进行干燥，并且在处理过程中加入了去静电技术，以消除二次污染。且由于不需旋转基片，消除了基片的碎片率。

所述的顶升支架的底部横杆21带有一定的倾斜角，两侧带导向，基片花篮9放入后，基片被底部横杆21顶起，并相应的倾斜。这样的设计能够使基片的底部与花篮接触的位置不积水，更有利于干燥。

所述的喷雾盖3由气缸驱动，并与氮气加热器6连接，其内集成了雾化喷头31和去静电装置4。干燥过程中，异丙醇、氮气可分别经过管道从喷头中喷出，并经去静电装置可消除基片表面静电。

所述的雾化管道5由316EP不锈钢，氟塑料制成。

在上述方案基础上，所述的底部横杆带有一定的倾斜角，两侧带导向，基片花篮放入后，基片会被底部横杆顶起，并相应的倾斜一定的角度。这样的设计能够使基片的底部与花篮接触的位置不积水，更有利于干燥。