[发明专利]背侧金属-氧化物-金属/金属-绝缘体-金属器件

权利要求书

1.一种方法，其包括：

形成衬底，其具有前侧与相对该前侧的背侧，该衬底在该衬底的前侧上包含电路系统；以及

于该衬底的背侧上形成金属-氧化物-金属MOM电容器、金属-绝缘体-金属MIM电容器、或其结合。

2.根据权利要求1所述的方法，包括于该衬底中形成硅通孔TSV，其将该MOM电容器、该MIM电容器、或其结合连接至该衬底的前侧上的电路系统。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，该衬底的前侧上的电路系统包含前侧MOM电容器、前侧MIM电容器、或其结合。

4.根据权利要求1所述的方法，包括通过形成多个平行触指来形成该MOM电容器。

5.根据权利要求4所述的方法，包括通过形成多个超厚金属UTM触指来形成该平行触指。

6.根据权利要求1所述的方法，包括通过下列步骤来形成该MOM电容器：

于该衬底的背侧上形成第一层，其包含第一组平行触指；以及

于该衬底的背侧上的该第一层下方形成一个或多个其它层，其包含一个或多个其它组平行触指。

7.根据权利要求1所述的方法，包括通过形成包含第一组互连触指及与该第一组互连触指交错的第二组互连触指的层来形成该MOM电容器。

8.根据权利要求1所述的方法，包括通过形成第一板、第二板、及在该第一板与该第二板间的介电层来形成该MIM电容器。

9.一种器件，其包括：

衬底，其具有前侧与相对该前侧的背侧；

电路系统，其位于该衬底的前侧上；以及

金属-氧化物-金属MOM电容器、金属-绝缘体-金属MIM电容器、或其结合，其位于该衬底的背侧上。

10.根据权利要求9所述的器件，包括位于该衬底中的硅通孔TSV，其将该MOM电容器、该MIM电容器、或其结合连接至该衬底的前侧上的电路系统。

11.根据权利要求9所述的器件，其中，该衬底的前侧上的电路系统包含前侧MOM电容器、前侧MIM电容器、或其结合。

12.根据权利要求9所述的器件，其中，该MOM电容器包含多个平行触指。

13.根据权利要求12所述的器件，其中，该平行触指包含多个超厚金属UTM触指。

14.根据权利要求9所述的器件，其中，该MOM电容器包括：

第一层，其位于该衬底的背侧上，且包含第一组平行触指；以及

一个或多个其它层，其位于该衬底的背侧上的该第一层下方，且包含一个或多个其它组平行触指。

15.根据权利要求9所述的器件，其中，该MOM电容器包括包含第一组互连触指及与该第一组互连触指交错的第二组互连触指的层。

16.根据权利要求9所述的器件，其中，该MIM电容器包含第一板、第二板、及在该第一板与该第二板间的介电层。

17.一种方法，其包括：

形成衬底，其具有前侧与相对该前侧的背侧；

于该衬底的前侧上形成电路系统；

于该衬底中形成硅通孔TSV，其电性连接至该衬底的前侧上的电路系统；以及

于该衬底的背侧上形成金属-氧化物-金属MOM电容器、金属-绝缘体-金属MIM电容器、或其结合，其电性连接至该TSV。

18.根据权利要求17所述的方法，其中，该衬底的前侧上的电路系统包含前侧MOM电容器、前侧MIM电容器、或其结合，该方法包括：

通过于该衬底的背侧上形成至少一层来形成该MOM电容器，各层包含多个平行触指。

19.根据权利要求17所述的方法，其中，该衬底的前侧上的电路系统包含前侧MOM电容器、前侧MIM电容器、或其结合，该方法包括：

通过形成第一板、第二板、及在该第一板与该第二板间的介电层来形成该MIM电容器。

20.根据权利要求17所述的方法，包括使用标准芯片堆栈/封装技术将该MOM电容器、该MIM电容器、或其结合及其它电路系统、器件、或其结合封装。