[发明专利]一种制备稀土-铁-硼永磁体的方法有效

专利信息
申请号: 201310097313.9 申请日: 2013-03-25
公开(公告)号: CN103137314A 公开(公告)日: 2013-06-05
发明(设计)人: 沈炯;周志国;向春涛;黄秀莲;陈静武;衣晓飞;熊永飞 申请(专利权)人: 安徽大地熊新材料股份有限公司
主分类号: H01F41/02 分类号: H01F41/02;H01F1/057;B22F9/04;B22F3/16
代理公司: 合肥天明专利事务所 34115 代理人: 金凯
地址: 231500 *** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 制备 稀土 永磁体 方法
【权利要求书】:

1.一种制备稀土-铁-硼永磁体的方法,其特征在于,包括下述步骤:

(1)利用速凝技术制备不含Ga的钕铁硼合金,将所述合金进行氢破碎、中破碎,得到破碎后的粒度小于10目的钕铁硼合金粉料;

(2)在低温环境中将金属Ga制成0.03-0.5mm厚的固态薄片并破碎成小片;

(3)将上述破碎后的钕铁硼粉料、小薄片状的金属Ga及制备钕铁硼工艺中常用的添加剂一起加入密封罐中,进行搅拌,使金属Ga在钕铁硼粗粉中分布均匀;

(4)将经步骤(3)混匀后的粉料进行气流磨,所述气流磨磨室温度高于30℃;

(5)将经气流磨后的钕铁硼粉末加入添加剂搅拌后在1.0-2.0T磁场中取向成型初压,再经过压力150-250MPa冷等静压处理得到压坯;

(6)压坯在1020℃-1150℃真空烧结4-6小时,再经880℃-920℃一级回火2-4小时和450℃-600℃二级回火处理4-6小时,制成磁体。

2.如权利要求1所述制备稀土-铁-硼永磁体的方法,其特征在于,步骤(2)中,所述薄片状的金属Ga的厚度为0.05-0.1mm。

3.如权利要求1所述制备稀土-铁-硼永磁体的方法,其特征在于,步骤(4)中,气流磨后的粉料粒度为2-5μm。

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