[发明专利]一种制备稀土-铁-硼永磁体的方法有效
申请号: | 201310097313.9 | 申请日: | 2013-03-25 |
公开(公告)号: | CN103137314A | 公开(公告)日: | 2013-06-05 |
发明(设计)人: | 沈炯;周志国;向春涛;黄秀莲;陈静武;衣晓飞;熊永飞 | 申请(专利权)人: | 安徽大地熊新材料股份有限公司 |
主分类号: | H01F41/02 | 分类号: | H01F41/02;H01F1/057;B22F9/04;B22F3/16 |
代理公司: | 合肥天明专利事务所 34115 | 代理人: | 金凯 |
地址: | 231500 *** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 制备 稀土 永磁体 方法 | ||
1.一种制备稀土-铁-硼永磁体的方法,其特征在于,包括下述步骤:
(1)利用速凝技术制备不含Ga的钕铁硼合金,将所述合金进行氢破碎、中破碎,得到破碎后的粒度小于10目的钕铁硼合金粉料;
(2)在低温环境中将金属Ga制成0.03-0.5mm厚的固态薄片并破碎成小片;
(3)将上述破碎后的钕铁硼粉料、小薄片状的金属Ga及制备钕铁硼工艺中常用的添加剂一起加入密封罐中,进行搅拌,使金属Ga在钕铁硼粗粉中分布均匀;
(4)将经步骤(3)混匀后的粉料进行气流磨,所述气流磨磨室温度高于30℃;
(5)将经气流磨后的钕铁硼粉末加入添加剂搅拌后在1.0-2.0T磁场中取向成型初压,再经过压力150-250MPa冷等静压处理得到压坯;
(6)压坯在1020℃-1150℃真空烧结4-6小时,再经880℃-920℃一级回火2-4小时和450℃-600℃二级回火处理4-6小时,制成磁体。
2.如权利要求1所述制备稀土-铁-硼永磁体的方法,其特征在于,步骤(2)中,所述薄片状的金属Ga的厚度为0.05-0.1mm。
3.如权利要求1所述制备稀土-铁-硼永磁体的方法,其特征在于,步骤(4)中,气流磨后的粉料粒度为2-5μm。
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