[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置有效
申请号: | 201310098005.8 | 申请日: | 2013-03-25 |
公开(公告)号: | CN103199114B | 公开(公告)日: | 2016-11-16 |
发明(设计)人: | 杜雷 | 申请(专利权)人: | 合肥京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L29/786 | 分类号: | H01L29/786;H01L21/336 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 230011 安*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 及其 制作方法 阵列 显示装置 | ||
1.一种薄膜晶体管,包括栅电极、栅极绝缘层、半导体层和源漏电极,其特征在于,还包括:
位于所述半导体层上方,覆盖所述源漏电极的沟道区域,由金属氧化物绝缘体构成的绝缘体层。
2.如权利要求1所述的薄膜晶体管,其特征在于,所述绝缘体层与所述源漏电极不具有交叠区域。
3.如权利要求1所述的薄膜晶体管,其特征在于,所述绝缘体层与所述源漏电极具有交叠区域,且在所述交叠区域具有电性连接所述源漏电极以及所述半导体层的过孔。
4.如权利要求1-3任一项所述的薄膜晶体管,其特征在于,所述绝缘体层具有与所述半导体层相同的金属氧化物材料,且绝缘体层中氧元素在金属氧化物中的百分比含量为60%~90%。
5.一种薄膜晶体管制作方法,其特征在于,包括:
在基板上形成栅电极,并在所述栅电极之上形成栅极绝缘层;
形成半导体层,并在所述半导体层之上形成金属氧化物绝缘体层;
形成源漏电极;
其中,所述金属氧化物绝缘体层覆盖所述源漏电极的沟道区域。
6.如权利要求5所述的方法,其特征在于,形成所述金属氧化物绝缘体层,包括:
对预形成所述金属氧化物绝缘体层的金属氧化物薄膜,进行曝光、显影和刻蚀,形成与预形成的源漏电极不具有交叠区域的金属氧化物绝缘体层。
7.如权利要求5所述的方法,其特征在于,形成所述金属氧化物绝缘体层,包括:
对预形成所述金属氧化物绝缘体层的金属氧化物薄膜,进行曝光、显影和刻蚀,形成与预形成的源漏电极具有交叠区域的绝缘体层;以及
对所述绝缘体层进行过孔工艺,形成在所述交叠区域具有电性连接所述源漏电极以及所述半导体层过孔的金属氧化物绝缘体层。
8.如权利要求5所述的方法,其特征在于,形成半导体层,并在所述半导体层之上形成金属氧化物绝缘体层,包括:
沉积预形成金属氧化物半导体层的金属氧化物薄膜;
注入混有氧气O2的反应气体;
控制O2在所述反应气体中的比例,依次形成包含有相同金属氧化物材料的金属氧化物半导体薄膜和金属氧化物绝缘体薄膜;其中,形成所述金属氧化物半导体薄膜时,O2在反应气体中的比例为10%~40%;形成所述金属氧化物绝缘体薄膜时,O2在反应气体中的比例为60%~90%。
9.如权利要求8所述的方法,其特征在于,对所述金属氧化物半导体薄膜和所述金属氧化物绝缘体薄膜,采用一次构图工艺形成所述半导体层,以及位于所述半导体层之上的金属氧化物绝缘体层。
10.如权利要求8所述的方法,其特征在于,形成所述金属氧化物绝缘体层薄膜时,O2在反应气体中的比例为80%~90%。
11.如权利要求5-10任一项所述的方法,其特征在于,采用磁控溅射成膜法,依次形成所述金属氧化物半导体层和金属氧化物绝缘体层。
12.一种阵列基板,其特征在于,包括权利要求1-4任一项所述的薄膜晶体管。
13.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求12所述的阵列基板。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于合肥京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司,未经合肥京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310098005.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类