[发明专利]一种源漏非对称自对准的射频功率器件及其制备方法

权利要求书

1. 一种源漏非对称自对准的射频功率器件，包括：

在衬底上依次形成的氮化镓铝缓冲层、氮化镓沟道层、氮化镓铝隔离层；

在所述氮化镓铝隔离层之上形成的栅介质层；

其特征在于，还包括：

在所述栅介质层之上形成的栅极以及位于栅极之上的钝化层；

在所述栅极的两侧形成的栅极侧墙；

在所述氮化镓铝隔离层内，所述栅极的两侧形成的漏极和源极；

介于所述靠近漏极一侧的栅极侧墙与所述漏极之间形成的介质层；

覆盖所述靠近漏极一侧的栅极侧墙形成的与所述源极相连的场板，且在器件的沟道长度方向上，所述场板向所述绝缘介质层以及位于栅极之上的钝化层上延伸。

2. 一种源漏非对称自对准的射频功率器件的制备方法，其特征在于，包括：

在衬底上依次淀积氮化镓铝缓冲层、氮化镓沟道层、氮化镓铝隔离层；

进行有源区光刻，用光刻胶作为刻蚀阻挡层，依次刻蚀氮化镓铝隔离层、氮化镓沟道层、氮化镓铝缓冲层以形成有源区，之后去胶；

在所形成的结构的暴露表面上依次淀积第一层绝缘薄膜、第一层导电薄膜、第二层绝缘薄膜；

进行光刻、显影定义出器件的栅极的位置；

以光刻胶作为刻蚀阻挡层，依次刻蚀掉暴露出的第二层绝缘薄膜和第一层导电薄膜，之后去胶，未被刻掉的第一层导电薄膜、第二层绝缘薄膜形成器件的栅极以及位于栅极之上的钝化层；

在所形成的结构的暴露表面上淀积第三层绝缘薄膜，并掩膜、曝光、显影定义出器件的源极和漏极的位置，然后以光刻胶为刻蚀阻挡层刻蚀掉暴露出的第三层绝缘薄膜，并继续刻蚀掉暴露出的第一层绝缘薄膜以露出所形成的氮化镓铝隔离层，之后去胶，剩余的第三层绝缘薄膜形成位于栅极两侧的栅极侧墙以及介于靠近漏极一侧的栅极侧墙与漏极之间的绝缘介质层；

向暴露出的氮化镓铝隔离层中注入硅离子，在氮化镓铝隔离层内形成器件的源极和漏极；

覆盖靠近漏极一侧的栅极侧墙形成与源极相连的场板，且在器件的沟道长度方向上，该场板向所形成的绝缘介质层以及位于栅极之上的钝化层上延伸。

3. 如权利要求2所述的源漏非对称自对准的射频功率器件的制备方法，其特征在于，所述的第一层绝缘薄膜为氧化硅、氮化硅、氧化铪或者为三氧化二铝，所述的第二层绝缘薄膜、第三层绝缘薄膜为氧化硅或者为氮化硅。

4. 如权利要求2所述的源漏非对称自对准的射频功率器件的制备方法，其特征在于，所述的第一层导电薄膜为含铬、或者含镍、或者含钨的合金。