[发明专利]半导体封装有效
申请号: | 201310098563.4 | 申请日: | 2013-03-26 |
公开(公告)号: | CN103367293B | 公开(公告)日: | 2017-03-01 |
发明(设计)人: | 许文松;林子闳;于达人 | 申请(专利权)人: | 联发科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/488 | 分类号: | H01L23/488 |
代理公司: | 北京万慧达知识产权代理有限公司11111 | 代理人: | 于淼,杨颖 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 封装 | ||
1.一种半导体封装,包括:
基板,具有芯片贴附面;以及
芯片,通过导电柱状凸块固接于所述芯片贴附面上,其中所述芯片包括:
金属焊垫,电性耦接至所述导电柱状凸块,其中所述金属焊垫具有第一边缘和实质上垂直于所述第一边缘的第二边缘,其中于俯视图中,所述第一边缘的长度不等于所述第二边缘的长度。
2.如权利要求1所述的半导体封装,其特征在于,所述芯片更包括:
内联机结构,位于所述基板和所述金属焊垫之间,其中所述内联机结构包括多个金属层和多个介电层,其中所述内联机结构包括由所述多个介电层的最上层介电层形成第一保护层;
第二保护层,设置于所述基板和所述导电柱状凸块之间,且位于所述金属焊垫上;以及
倒装芯片填充材质,位于所述基板和所述芯片之间。
3.如权利要求1所述的半导体封装,其特征在于,于所述俯视图中,所述金属焊垫为八角形。
4.如权利要求2所述的半导体封装,其特征在于,所述金属焊垫由所述内联机结构的所述多个金属层的最上层金属层形成。
5.如权利要求1所述的半导体封装,其特征在于,所述导电柱状凸块由金属堆栈构成,所述金属堆栈包括凸块下金属层、铜层和焊锡盖层。
6.如权利要求1所述的半导体封装,其特征在于,所述俯视图中,所述金属焊垫的形状类似于相应的所述导电柱状凸块的形状。
7.如权利要求1所述的半导体封装,其特征在于,所述金属焊垫于所述俯视图中仅具有二重旋转对称。
8.如权利要求1所述的半导体封装,其特征在于,所述俯视图中,所述导电柱状凸块为八边形或椭圆形。
9.如权利要求2所述的半导体封装,其特征在于,所述第二保护层具有开口,以暴露所述金属焊垫。
10.如权利要求9所述的半导体封装,其特征在于,于所述俯视图中,所述开口为八边形,且所述开口具有彼此垂直的第三边缘和第四边缘,且其中于所述俯视图中,所述第三边缘的长度不等于所述第四边缘的长度。
11.一种半导体封装,包括:
基板,具有芯片贴附面;以及
芯片,通过导电柱状凸块固接于所述芯片贴附面上,其中所述芯片包括:
金属焊垫,电性耦接至所述导电柱状凸块,其中于俯视图中,所述金属焊垫具有沿第一方向的第一长度和沿第二方向的第二长度,且所述第一长度不等于所述第二长度,且其中所述第一方向和所述第二方向之间的夹角大于0度且小于或等于90度。
12.如权利要求11所述的半导体封装,其特征在于,所述芯片更包括:
内联机结构,位于所述基板和所述金属焊垫之间,其中所述内联机结构包括多个金属层和多个介电层,其中所述内联机结构包括由所述多个介电层的最上层介电层形成第一保护层;
第二保护层,设置于所述基板和所述导电柱状凸块之间,且位于所述金属焊垫上;以及
倒装芯片填充材质,位于所述基板和所述芯片之间。
13.如权利要求11所述的半导体封装,其特征在于,于所述俯视图中,所述金属焊垫为八角形或椭圆形。
14.如权利要求12所述的半导体封装,其特征在于,所述金属焊垫由所述内联机结构的所述多个金属层的最上层金属层形成。
15.如权利要求11所述的半导体封装,其特征在于,所述导电柱状凸块由金属堆栈构成,所述金属堆栈包括凸块下金属层、铜层和焊锡盖层。
16.如权利要求11所述的半导体封装,其特征在于,于所述俯视图中,所述金属焊垫的形状类似于相应的所述导电柱状凸块的形状。
17.如权利要求11所述的半导体封装,其特征在于,所述金属焊垫于所述俯视图中仅具有二重旋转对称。
18.如权利要求11所述的半导体封装,其特征在于,于所述俯视图中,所述导电柱状凸块为八边形或椭圆形。
19.如权利要求12所述的半导体封装,其特征在于,所述第二保护层具有开口,以暴露所述金属焊垫。
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