[发明专利]场发射灯具

说明书

技术领域

本发明涉及照明领域，尤其涉及一种工作稳定且便于制造的场发射灯具。 

背景技术

场发射光源(Field emission light source)是一种新兴光源，它的发光原理是在发射电极与接收电极中间的真空带中导入高电压以产生电场，使低电势处金属尖端、碳纳米管等电子发射体发射出电子，轰击高电势处的发光材料（荧光粉）而发出可见光。 

场发射光源采用的电子源是冷阴极（发射极），对阴极所用的金属尖端、碳纳米管等电子发射体的要求较高，所采用的场发射材料要求有极好的电子发射能力，同时要有较低的开启电压，可传输极大的电流密度，并且电流稳定。但是以目前的制备技术来说，在强电场的作用下，微尖破坏、电流变动、性能劣化等问题还未完全解决。同时还需考虑到发射极均匀性的进一步提高，生产效率的提高，设备投资的降低等。 

发明内容

针对上述问题，本发明的目的在于提供一种工作稳定且便于制造的场发射灯具。 

为了解决上述技术问题，本发明提供了一种场发射灯具，包括场发射发光面板及面板支架，所述场发射发光面板固定于所述面板支架上，所述场发射发光面板包括导电阴极及与该导电阴极相对设置的导电阳极，该导电阴极与该导电阳极之间形成一密闭空腔，该密闭空腔内填充有气体电子源，该导电阳极包括阳极透明基板、设于该阳极透明基板上的阳极透明导电膜及涂覆于该阳极透明导电膜上的荧光粉层，当施加高电压于该导电阴极与该导电阳极上时，该气体电子源在强电场作用下电离并发射出电子轰击处于高电位处的荧光粉层发光。 

其中，所述导电阴极包括阴极透明基板及设于该阴极透明基板上的阴极透 明导电膜，该阴极透明导电膜与该荧光粉层相对设置。 

其中，所述阳极透明导电膜及该阴极透明导电膜的材质均为纳米铟锡金属氧化物。 

其中，所述气体电子源为第一电离能较小的气体。 

其中，所述气体电子源为N2、He、Ar的任一种或任意多种的组合。 

其中，所述场发射发光面板及所述面板支架的数量均至少为两个，且所述场发射发光面板与所述面板支架的数量一致，所述面板支架相互铰接以使所述面板支架可折叠地连接。 

其中，所述铰接的二相互面板支架之间的角度可调节范围为0°～360°。 

其中，所述场发射灯具还包括连接件，该连接件包括主体、第一转轴及第二转轴，该第一转轴与该第二转轴平行设置于该主体上，每一面板支架均设有旋转孔，该第一转轴及该第二转轴分别可旋转地安装于所述旋转孔以将所述二面板支架相互铰接。 

其中，每一所述面板支架上均开设有安装槽，该安装槽延伸至该面板支架的其中一边，该安装槽由二相对的侧壁及一连接所述二侧壁的底壁围成，且所述旋转孔开设于所述侧壁上。 

其中，至少其中一所述场发射发光面板发出的光线的颜色与其他场发射发光面板发出的光线颜色不同。。 

上述场发射灯具中，使用气体电子源替代了传统的碳纳米管等电子发射体，能有效降低制备场发射光源的工艺难度和制备成本。另外，上述场发射灯具使用透明的导电膜作为导电层，使得整个场发射发光面板为透明结构，进而使得场发射发光面板叠合后可叠加出光。 

附图说明

为了更清楚地说明本发明的技术方案，下面将对实施方式中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。 

图1及图2是本发明第一较佳实施方式提供的场发射灯具的立体图。 

图3是图1所示场发射灯具的另一状态立体图。 

图4是图1所示场发射灯具的局部分解图。 

图5及图6是本发明第二较佳实施方式提供的场发射灯具的立体图。 

图7是本发明第三较佳实施方式提供的场发射灯具的立体图。 

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。