[发明专利]一种用合金旋转靶材制备铜锌锡硫硒薄膜的方法有效
| 申请号： | 201310099415.4 | 申请日： | 2013-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN103208417A | 公开（公告）日： | 2013-07-17 |
| 发明（设计）人： | 徐从康 | 申请（专利权）人： | 无锡舒玛天科新能源技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/203 | 分类号： | H01L21/203;H01L31/18 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 214192 江苏省无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 合金 旋转 制备 铜锌锡硫硒 薄膜 方法 | ||
1.一种用合金旋转靶材制备铜锌锡硫硒薄膜的方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：
（1）将沉积有钼层的基底加热至300～400℃，用30W-200W的功率以Cu1.5ZnSnS(Se)4作为旋转溅射靶材在基底上溅射得到第一层薄膜，溅射时间为15-60min，所述第一层薄膜表面呈贫铜富锌状态，其中Cu1.5ZnSnS(Se)4旋转溅射靶材的形状为空心圆柱体形，其与基底垂直的截面形状为圆环形；
（2）调节基底的温度至400～600℃，用80W-200W的功率以Cu2ZnSnS(Se)4作为旋转溅射靶材在第一层薄膜上溅射得到第二层薄膜，溅射时间为30min-2h，所述第二层薄膜表面呈富铜状态，其中Cu2ZnSnS(Se)4旋转溅射靶材的形状为空心圆柱体形，其与基底垂直的截面形状为圆环形；
（3）调节基底的温度为400～600℃，用30W-200W的功率以Cu1.8ZnSnS(Se)4作为旋转溅射靶材在第二层薄膜上溅射得到第三层薄膜，溅射时间为20-60min，所述第三层薄膜表面呈贫铜状态，得到铜锌锡硫硒薄膜，其中Cu1.8ZnSnS(Se)4旋转溅射靶材的形状为空心圆柱体形，其与基底垂直的截面形状为圆环形。
2.根据权利要求1所述用合金旋转靶材制备铜锌锡硫硒薄膜的方法，其特征在于，所述靶材Cu1.5ZnSnS(Se)4、Cu2ZnSnS(Se)4以及Cu1.8ZnSnS(Se)4的长度为160厘米，外直径为14厘米，内直径为13厘米以及厚度为0.5-1.5厘米。
3.根据权利要求1所述用合金旋转靶材制备铜锌锡硫硒薄膜的方法，其特征在于，所述靶材Cu1.5ZnSnS(Se)4、Cu2ZnSnS(Se)4以及Cu1.8ZnSnS(Se)4的原子数比为（1.5-2）:（0.5-1.5）:（0.5-1.5）:4。
4.根据权利要求1所述用合金旋转靶材制备铜锌锡硫硒薄膜的方法，其特征在于，所述基底为钠钙玻璃或不锈钢薄片或铝箔片或塑料片中的任意一种。
5.根据权利要求1所述用合金旋转靶材制备铜锌锡硫硒薄膜的方法，其特征在于，步骤（1）中，所述基底的厚度为2-6mm。
6.根据权利要求1所述用合金旋转靶材制备铜锌锡硫硒薄膜的方法，其特征在于，步骤（1）中，所述钼层的厚度为200～1500nm。
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