[发明专利]具有V形区域的半导体器件

权利要求书

1.一种用于形成半导体器件的方法，包括：

原位地蚀刻衬底的区域以形成v形凹槽，所述v形凹槽从其上形成所述半导体器件的栅极堆叠件的第一衬底表面延伸到所述衬底中。

2.根据权利要求1所述的方法，所述蚀刻包括：

蚀刻所述区域以形成至少一个侧壁，限定以相对于所述第一衬底表面不垂直的角度定向的至少一部分所述v形凹槽。

3.根据权利要求1所述的方法，所述蚀刻包括：

通过包括氯化氢的蚀刻气体来蚀刻所述区域。

4.根据权利要求1所述的方法，所述蚀刻包括：

通过被加热至约400摄氏度至约1000摄氏度之间的温度的包含氯化氢的蚀刻气体来蚀刻所述区域。

5.根据权利要求1所述的方法，所述蚀刻包括：

通过被加热至约400摄氏度至约1000摄氏度之间的温度的蚀刻气体来蚀刻所述区域。

6.根据权利要求1所述的方法，包括：

在蚀刻所述衬底的区域以形成所述v形凹槽之前，蚀刻所述衬底的区域以形成u形凹槽，所述u形凹槽从所述第一衬底表面延伸到所述衬底中。

7.根据权利要求6所述的方法，蚀刻所述衬底的区域以形成所述v形凹槽包括：

蚀刻所述衬底的限定所述u形凹槽的至少一个侧壁以形成所述v形凹槽。

8.根据权利要求1所述的方法，包括：

在蚀刻所述衬底的区域以形成所述v形凹槽之前，去除在所述衬底上形成的至少一些自然氧化物。

9.一种晶体管，包括：

以下部件中的至少一个：

源极，当所述晶体管和第二晶体管之间的多晶硅间距小于约75nm时，所述源极的高度-长度比至少超过1.5，而当所述晶体管和第二晶体管之间的多晶硅间距小于约60nm时，所述源极的高度-长度比至少超过1.6；或者

漏极，当所述晶体管和第二晶体管之间的多晶硅间距小于约75nm时，所述漏极的高度-长度比至少超过1.5，而当所述晶体管和第二晶体管之间的多晶硅间距小于约60nm时，所述漏极的高度-长度比至少超过1.6。

10.一种形成半导体器件的方法，包括：

蚀刻衬底的区域以形成u形凹槽，所述u形凹槽从其上形成所述半导体器件的栅极堆叠件的第一衬底表面延伸到所述衬底中；

原位蚀刻所述区域的至少一部分以形成v形凹槽，包括：

将蚀刻气体施加于空间上邻近所述u形凹槽的所述衬底的至少一部分以将所述u形凹槽转变为v形凹槽；以及

在所述v形凹槽内外延生长应变单晶半导体材料。