[发明专利]一种增强型N沟道绝缘栅场效应管无效
| 申请号： | 201310100037.7 | 申请日： | 2013-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN103219383A | 公开（公告）日： | 2013-07-24 |
| 发明（设计）人： | 林伟良 | 申请（专利权）人： | 林伟良 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 苏州广正知识产权代理有限公司 32234 | 代理人： | 刘述生 |
| 地址： | 213000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 增强 沟道 绝缘 场效应 | ||
【权利要求书】：
1.一种增强型N沟道绝缘栅场效应管，其特征在于，包括：P型硅衬底、多个N型区、二氧化硅绝缘层、源极、栅极和漏极，所述P型硅衬底的上部扩散有两个N型区，所述两个N型区的表面上加工有二氧化硅绝缘层，所述二氧化硅绝缘层和两个N型区的表面上分别引出源极、栅极和漏极。
2.根据权利要求1所述的增强型N沟道绝缘栅场效应管，其特征在于，所述二氧化硅绝缘层上表面盖有一层金属铝。
3.根据权利要求1所述的增强型N沟道绝缘栅场效应管，其特征在于，所述P型硅衬底焊接在电路板表面。
4.根据权利要求1所述的增强型N沟道绝缘栅场效应管，其特征在于，所述N型区为导电沟道。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于林伟良，未经林伟良许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310100037.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于光电应用的沉积方法和装置
- 下一篇：一种防水的电灯开关座
- 同类专利
- 专利分类
