[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

部分地制造鳍式场效应晶体管(FinFET)，所述FinFET包括具有第一半导电材料和设置在所述第一半导电材料上方的第二半导电材料的半导体鳍；

去除所述半导体鳍的第二半导电材料的顶部；

暴露所述第一半导电材料的顶部；

从所述第二半导电材料的下方去除所述第一半导电材料的顶部；

氧化所述第一半导电材料和所述第二半导电材料，其中氧化所述第一半导电材料和所述第二半导电材料包括在所述第一半导电材料上形成具有第一厚度的第一氧化物和在所述第二半导电材料上形成具有第二厚度的第二氧化物，所述第一厚度大于所述第二厚度；

从所述第二半导电材料去除所述第二氧化物；以及

完成所述FinFET的制造。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，去除所述第二氧化物还从所述第一半导电材料去除所述第一氧化物的第一部分而使所述第一氧化物的第二部分保留在所述第一半导电材料上。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，氧化所述第一半导电材料和所述第二半导电材料包括原位蒸汽生成(ISSG)工艺。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，氧化所述第一半导电材料和所述第二半导电材料包括湿炉工艺。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，氧化所述第一半导电材料和所述第二半导电材料包括H₂/O₂等离子体工艺。

6.一种制造半导体器件的方法，包括：

部分地制造鳍式场效应晶体管(FinFET)，所述FinFET包括半导体鳍，所述半导体鳍包含设置在工件上方的第一半导电材料，所述第一半导电材料邻近隔离区，所述半导体鳍进一步包括设置在所述第一半导电材料上方的第二半导电材料；

去除所述半导体鳍的第二半导电材料的顶部；

使所述隔离区凹陷以暴露所述第一半导电材料的顶部的侧壁；

从所述第二半导电材料的下方去除所述第一半导电材料的顶部；

氧化所述第一半导电材料和所述第二半导电材料，其中氧化所述第一半导电材料和所述第二半导电材料在所述第一半导电材料上形成具有第一厚度的第一氧化物和在所述第二半导电材料上形成具有第二厚度的第二氧化物，所述第一厚度大于所述第二厚度；

从所述第二半导电材料去除所述第二氧化物以及从所述第一半导电材料去除所述第一氧化物的一部分；

在所述第二半导电材料上方并且围绕所述第二半导电材料形成栅极电介质；以及

在所述栅极电介质上方并且围绕所述栅极电介质形成栅极。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述第一半导电材料在第一氧化速率下氧化，所述第二半导电材料在第二氧化速率下氧化，并且所述第一氧化速率比所述第二氧化速率约大5倍以上。

8.一种半导体器件，包括：

鳍，设置在工件上方，所述鳍包括：

第一半导电材料，设置在工件上方；

所述第一半导电材料的氧化物，设置在所述第一半导电材料上方；

第二半导电材料，设置在所述第一半导电材料的氧化物的上方；

导电材料，在所述第二半导电材料的上方并且围绕所述第二半导电材料设置，所述导电材料的一部分设置在所述第一半导电材料的氧化物和所述第二半导电材料之间；

第一绝缘材料，围绕所述第二半导电材料设置，所述第一绝缘材料的第一部分设置在所述第二半导电材料的顶面和所述导电材料之间，所述第一绝缘材料的第二部分设置在所述第二半导电材料的底面和所述导电材料之间；以及

第二绝缘材料，围绕所述导电材料的区域设置，所述第二绝缘材料的一部分设置在所述导电材料和所述第一半导电材料的氧化物之间，

其中，所述导电材料包括环绕栅极(GAA)鳍式场效应晶体管(FinFET)的栅极，并且所述第二半导电材料包括所述GAA FinFET的沟道区。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述沟道区包括选自基本上由Si、Ge、III-V族材料和它们的组合所组成的组中的材料。

10.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述沟道区包括纳米线。