[发明专利]波长变换用无机成型体及其制造方法以及发光装置

权利要求书

1.一种波长变换用无机成型体，其特征在于，具有：

基体，

设置在所述基体上的无机粒子层，其含有由吸收第1波长的光且发出与所述第1波长不同的第2波长的光的无机波长变换物质构成的粒子；

所述无机粒子层具有：

所述粒子通过该粒子彼此或者与所述基体接触而连续地连接而成的凝集体，

通过原子层沉积法连续地覆盖所述粒子的表面与所述基体的表面之间、以及所述粒子彼此的表面的由无机材料构成的覆盖层，以及

被所述覆盖层覆盖的所述粒子、或被所述覆盖层覆盖的所述粒子和被所述覆盖层覆盖的所述基体所包围的空隙，

所述无机波长变换物质的粒子通过无机粘结材料将该粒子彼此以及将该粒子与所述基体相粘结，所述无机粘结材料是碱土类金属的氢氧化物或碳酸盐。

2.根据权利要求1所述的波长变换用无机成型体，其特征在于，所述基体具有透光性。

3.根据权利要求1所述的波长变换用无机成型体，其特征在于，在所述基体与所述无机粒子层的界面反射所述第1波长的光和所述第2波长的光。

4.根据权利要求1所述的波长变换用无机成型体，其特征在于，所述基体含有吸收所述第1波长的光且发出与所述第1波长和所述第2波长不同的第3波长的光的无机波长变换物质。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的波长变换用无机成型体，其特征在于，所述无机粒子层中的所述空隙的空隙率为1～50％。

6.根据权利要求1～4中任一项所述的波长变换用无机成型体，其特征在于，所述无机波长变换物质的粒子的平均粒径为0.1～100μm，

所述覆盖层的平均厚度为10nm～50μm。

7.根据权利要求1～4中任一项所述的波长变换用无机成型体，其特征在于，所述无机粒子层的表面形成有由所述无机波长变换物质的粒子的粒径所引起的凹凸形状。

8.根据权利要求1～4中任一项所述的波长变换用无机成型体，其特征在于，所述覆盖层含有选自Al₂O₃、SiO₂、ZrO₂、HfO₂、TiO₂、ZnO、Ta₂O₅、Nb₂O₅、In₂O₃、SnO₂、TiN以及AlN中的至少一种化合物。

9.根据权利要求1～4中任一项所述的波长变换用无机成型体，其特征在于，所述无机波长变换物质含有选自硫化物系荧光体、卤素硅酸盐系荧光体、氮化物荧光体以及氮氧化物荧光体中的至少一种化合物。

10.一种发光装置，其特征在于，具备：

光源，

吸收所述光源发出的第1波长的光且发出与所述第1波长不同的第2波长的光的权利要求1～9中任一项所述的波长变换用无机成型体；

输出含有所述第2波长的光的光。

11.根据权利要求10所述的发光装置，其特征在于，所述基体是半导体发光元件，兼做所述光源。

12.一种波长变换用无机成型体的制造方法，其特征在于，包括：

无机粒子层形成工序，在基体上，形成具有吸收第1波长的光且发出与所述第1波长不同的第2波长的光的无机波长变换物质的粒子的凝集体，

覆盖层形成工序，形成通过原子层沉积法连续地覆盖所述粒子的表面与所述基体的表面之间、以及所述粒子彼此的表面的由无机材料构成的覆盖层，

其中，无机粒子层形成工序中，在形成所述凝集体时使用碱土类金属的氢氧化物或碳酸盐作为无机粘结材料。