[发明专利]电子装置及制造电子装置的方法

权利要求书

1.一种电子装置，包括：

第一芯片承载件；

第二芯片承载件，与所述第一芯片承载件分隔；

第一功率半导体芯片，安装在所述第一芯片承载件上并且与所述第一芯片承载件电连接；

第二功率半导体芯片，安装在所述第二芯片承载件上并且与所述第二芯片承载件电连接；

电绝缘材料，配置成至少部分地包围所述第一功率半导体芯片和所述第二功率半导体芯片；以及

电互连装置，配置成将所述第一功率半导体芯片电连接至所述第二功率半导体芯片，其中，所述电互连装置包括接触夹、电流沉积导体以及导电键合线中的至少一个。

2.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述第一芯片承载件包括引脚框架的裸片垫，并且所述第二芯片承载件包括引脚框架的裸片垫。

3.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述第一功率半导体芯片包括设置在所述第一功率半导体芯片的顶部主面上的至少一个第一接触垫和设置在所述第一功率半导体芯片的底部主面上的至少一个第二接触垫，其中，所述至少一个第二接触垫与所述第一芯片承载件电连接。

4.根据权利要求3所述的电子装置，其中，所述第二功率半导体芯片包括设置在所述第二功率半导体芯片的顶部主面上的至少一个第一接触垫和设置在所述第二功率半导体芯片的底部主面上的至少一个第二接触垫，其中，所述第二功率半导体芯片的所述至少一个第二接触垫与所述第二芯片承载件电连接，并且其中，所述电互连装置配置成将所述第一功率半导体芯片的所述至少一个第一接触垫电连接至所述第二芯片承载件。

5.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述电互连装置进一步包括引线。

6.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述电互连装置包括未被所述电绝缘材料覆盖的面向外部的区段。

7.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述电互连装置配置成完全由所述电绝缘材料覆盖。

8.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述电绝缘材料包括填充或未填充的模制材料、填充或未填充的热塑性材料、填充或未填充的热固性材料、填充或未填充的层压制件、纤维增强的层压制件、纤维增强的聚合物层压制件、以及具有填料颗粒的纤维增强的聚合物层压制件中的至少一个。

9.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述第一芯片承载件和所述第二芯片承载件中的至少一个包括布置在与上面安装了对应的所述第一功率半导体芯片或所述第二功率半导体芯片的表面相对的表面上的涂层，所述涂层包括包含由Ni、Au、NiPd、NiAu、NiPdAu以及NiPdAuAg合金中的一个或多个组成的材料。

10.根据权利要求3所述的电子装置，其中，所述至少一个第二接触垫通过扩散焊料结合与所述第一芯片承载件电连接。

11.根据权利要求3所述的电子装置，其中，所述至少一个第二接触垫通过软焊料结合与所述第一芯片承载件电连接。

12.根据权利要求3所述的电子装置，其中，所述至少一个第二接触垫通过导电纳米糊剂结合与所述第一芯片承载件电连接。

13.根据权利要求3所述的电子装置，其中，所述至少一个第二接触垫通过导电粘合剂结合与所述第一芯片承载件电连接。

14.根据权利要求4所述的电子装置，其中，所述第二功率半导体芯片的所述至少一个第二接触垫通过扩散焊料结合与所述第二芯片承载件电连接。

15.根据权利要求4所述的电子装置，其中，所述第二功率半导体芯片的所述至少一个第二接触垫通过软焊料结合与所述第二芯片承载件电连接。

16.根据权利要求4所述的电子装置，其中，所述第二功率半导体芯片的所述至少一个第二接触垫通过导电纳米糊剂结合与所述第二芯片承载件电连接。

17.根据权利要求4所述的电子装置，其中，所述第二功率半导体芯片的所述至少一个第二接触垫通过导电粘合剂结合与所述第二芯片承载件电连接。