[发明专利]一种用于霍尔测试的碲镉汞栅控结构光导探测器

权利要求书

1.一种用于霍尔测试的碲镉汞栅控结构光导探测器，其结构为：蓝宝石衬底（1）上依次为把n型碲镉汞材料（4）粘结在衬底上的环氧树脂胶（2）、双面具有阳极氧化层（3）的n型碲镉汞材料（4）和ZnS钝化层（6），透明栅电极（7）位于ZnS钝化层（6）上，在透明栅电极（7）上生长有加厚电极（8），4个霍尔电极（5）位于n型碲镉汞材料（4）上；其特征在于：

所述的蓝宝石衬底（1）的厚度为280μm；

所述的阳极氧化层（3），厚度为80-100nm；

所述的n型碲镉汞材料（4）的电子浓度为1×10¹³cm^-3至1×10¹⁵cm^-3，经双面粗、精抛处理，厚度为10-15μm；

所述的霍尔电极（5）为Cr和Au复合电极，Cr厚度为20nm，Au厚度为300nm；

所述的ZnS钝化层（6）的厚度为200-300nm；

所述的透明栅电极（7）为In电极，厚度为10nm；

所述的加厚电极（8）为Au电极，厚度为300nm。

2.根据权利要求1所述的一种用于霍尔测试的碲镉汞栅控结构光导探测器，其特征在于：所述的4个霍尔电极（5）为方形，分布在器件的四个角上，电极尺寸小于器件光敏面边长的1/6。