[发明专利]一种二次锌电极添加剂无效
| 申请号： | 201310100654.7 | 申请日： | 2013-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN104078682A | 公开（公告）日： | 2014-10-01 |
| 发明（设计）人： | 宋永江;曹从伟;孙宁;罗云峰;宋钱江;蒋敏 | 申请（专利权）人： | 宋永江 |
| 主分类号： | H01M4/62 | 分类号： | H01M4/62 |
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| 地址： | 213000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 二次 电极 添加剂 | ||
1.一种二次锌电极添加剂，其特征在于：所述添加剂主要化学成分是以与ZnO晶型一致的纤锌矿结构物质。
2.根据权利要求1所述的一种二次锌电极添加剂，其特征在于：所述的纤锌矿结构物质包括AgI、ZnO、CdS、CdSe、α-SiC、GaN、AlN中的一种或几种的半导体结构。
3.根据权利要求1所述的一种二次锌电极添加剂，其特征在于：所述的纤锌矿型物质包括AgI、Zn0、CdS、CdSe、α-SiC、GaN、AlN中一种或几种的的掺杂改性的粉体材料。
4.根据权利要求1所述的一种二次锌电极添加剂，其特征在于：所述的纤锌矿型物质包括AgI、ZnO、CdS、CdSe、α-SiC、GaN、AlN中的一种或几种的混合物。
5.根据权利要求1所述的一种二次锌电极添加剂，其特征在于：所述的纤锌矿物质为耐碱性的GaN化合物半导体材料。
6.根据权利要求1所述的一种二次锌电极添加剂，其特征在于：所述的纤锌矿物质为耐碱性的GaN经过掺杂改性的纳米或微米粉体材料。
7.根据权利要求6所述的一种二次锌电极添加剂，其特征在于：所述的GaN粉体为纳米级粉体，尺寸在5～500nm之间。
8.根据权利要求5或6所述的一种二次锌电极添加剂，其特征在于：所述的GaN含量在整个二次锌电极配料中所占的比例为Zn含量的0％～10％。
9.根据权利要求5或6所述的一种二次锌电极添加剂，其特征在于：所述的GaN含量在整个二次锌电极配料中所占的比例为Zn含量的0.005％到1％之间。
10.根据权利要求1所述的一种二次锌电极添加剂，其特征在于：其制备方法为粉末压成法、涂膏法、电沉积法、刮浆法制备的板式电极或是由挤膏制备的各种形式的管式电极。
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