[发明专利]芯片装置和形成其的方法、芯片封装和形成其的方法

权利要求书

1.一种芯片装置，包括：

第一芯片载体；

第二芯片载体；

第一芯片，其电连接到第一芯片载体；

第二芯片，其布置在第一芯片载体上方并且与第一芯片载体电绝缘；以及

第三芯片，其电连接到第二芯片载体；

其中第一芯片和第二芯片至少其一电连接到第三芯片。

2.根据权利要求1的芯片装置，其中第一芯片和第二芯片至少其一电连接到第三芯片顶侧或第三芯片底侧至少其一。

3.根据权利要求1的芯片装置，

其中第一芯片和第三芯片至少其一包括功率半导体芯片。

4.根据权利要求3的芯片装置，

其中功率半导体芯片包括来自由下述构成的群组的至少一种功率半导体器件：功率晶体管、功率MOS晶体管、功率双极晶体管、功率场效应晶体管、功率绝缘栅极双极晶体管、晶闸管、MOS受控晶闸管、硅受控整流器、功率肖特基二极管、碳化硅二极管、氮化镓器件。

5.根据权利要求3的芯片装置，

其中第一芯片配置成承载第一芯片顶侧和第一芯片底侧之间的垂直电流流动。

6.根据权利要求3的芯片装置，

其中第三芯片配置成承载第三芯片顶侧和第三芯片底侧之间的垂直电流流动。

7.根据权利要求1的芯片装置，

其中第一芯片布置在第一芯片载体上方，并且

其中第一芯片经由在第一芯片背侧上方形成的至少一个接触垫而电连接到第一芯片载体。

8.根据权利要求1的芯片装置，

其中第一芯片经由导电介质电连接到第一芯片载体，该导电介质包括下述材料群组中的至少一种，该群组由下述构成：焊料、软焊料、扩散焊料、膏料、纳米膏料、粘合剂、导电粘合剂。

9.根据权利要求1的芯片装置，

其中第二芯片包括半导体逻辑芯片和半导体存储器芯片至少其一。

10.根据权利要求9的芯片装置，

其中半导体逻辑芯片包括来自由下述构成的群组的至少一种半导体逻辑器件：ASIC、驱动器、控制器、传感器。

11.根据权利要求1的芯片装置，

其中第二芯片背侧布置在第一芯片载体上方。

12.根据权利要求1的芯片装置，

其中第二芯片通过电绝缘介质与第一芯片载体电绝缘，该电绝缘介质包括下述材料群组中的至少一种，该群组由下述构成：粘合剂、电绝缘粘合剂、环氧树脂、胶、膏料、粘合剂箔、电绝缘晶片背侧涂层。

13.根据权利要求1的芯片装置，

其中第一芯片载体包括第一引线框载体，并且

其中第二芯片载体包括第二引线框载体。

14.根据权利要求1的芯片装置，

其中第一芯片载体和第二芯片载体至少其一包括下述材料群组中的至少一种，该材料群组由下述构成：铜、镍、铁、银、金、钯、磷、铜合金、镍合金、铁合金、银合金、金合金、钯合金、磷合金。

15.根据权利要求1的芯片装置，

其中第一芯片载体和第二芯片载体至少其一包括下述材料群组中的至少一种，该材料群组由下述构成：NiPdAu、NiAu、NiPd、NiAuAg、NiPdAuAg、NiNiPPdAu、NiNiPAu、NiNiPPd、NiNiPAuAg、NiNiPPdAuAg。

16.根据权利要求1的芯片装置，

其中第一芯片载体和第二芯片载体至少其一包括这样的材料，其包括范围在约1nm至1000nm的粗糙度。

17.根据权利要求1的芯片装置，

其中第一芯片载体和第二芯片载体至少其一包括这样的材料，其具有范围在约2%至50%的孔隙度。

18.根据权利要求1的芯片装置，进一步包括

一个或多个电互连，配置成将第一芯片和第二芯片至少其一电连接到第三芯片。