[发明专利]发光二极管及其制造方法有效
| 申请号： | 201310101539.1 | 申请日： | 2013-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN104078538B | 公开（公告）日： | 2017-01-25 |
| 发明（设计）人： | 邱镜学;林雅雯;凃博闵;黄世晟 | 申请（专利权）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 深圳市鼎言知识产权代理有限公司44311 | 代理人： | 曾昭毅 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
1.一种发光二极管，包括：
基板；
第一未掺杂的GaN层，形成在基板之上，所述第一未掺杂的GaN层的与基板相反的表面形成有多个离子植入区域；
多个第二未掺杂的GaN层，形成在第一未掺杂的GaN层之上，所述第二未掺杂的GaN层为岛状且部分覆盖离子植入区域；
布拉格反射层，形成在第二未掺杂的GaN层的表面以及离子植入区域的未被第二未掺杂的GaN层覆盖的表面；以及
N型GaN层、活性层以及P型GaN层，依次生长在布拉格反射层的表面。
2.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述离子植入区域所植入的离子为Ar离子或者Si离子。
3.如权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述离子植入区域的离子植入浓度的范围为5×1015cm-2到1×1017cm-2之间。
4.如权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述离子植入区域的离子植入深度的范围为50nm到150nm。
5.如权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述第二未掺杂的GaN层的高度为50nm到300nm。
6.如权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述第二未掺杂的GaN层的宽度为3μm。
7.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述布拉格反射层为交替层叠的GaN层和AlN层。
8.一种发光二极管的制造方法，包括以下步骤：
提供一个基板；
在基板上形成第一未掺杂的GaN层；
在第一未掺杂的GaN层的与基板相反的表面形成多个离子植入区域；
在第一未掺杂的GaN层的表面形成多个第二未掺杂的GaN层，所述第二未掺杂的GaN层为岛状，相邻的第二未掺杂的GaN层之间形成有间隙以暴露部分离子植入区域的表面；
在第二未掺杂的GaN层的表面以及暴露的离子植入区域的表面生长布拉格反射层；以及
在布拉格反射的表面依次形成N型GaN层、活性层以及P型GaN层。
9.如权利要求8所述的发光二极管的制造方法，其特征在于，所述离子植入区域所植入的离子为Ar离子或者Si离子。
10.如权利要求8所述的发光二极管的制造方法，其特征在于，所述布拉格反射层为交替成长在第二未掺杂的GaN层表面以及离子植入区域的表面的GaN层和AlN层。
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