[发明专利]金属硫属化物薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种金属硫属化物薄膜的制备方法，用于用硫族元素源和金属元素源以气相沉积的方式在基片上生长出金属硫属化物薄膜，包括：

提供能够分别独立控温的第一温度区域、第二温度区域和第三温度区域；其中，所述硫族元素源放置在所述第一温度区域，所述金属元素源放置在所述第二温度区域，所述基片放置在所述第三温度区域；

控制所述第一温度区域达到第一预定温度以加热所述硫族元素源，使得所述硫族元素源蒸发以产生硫族元素源蒸汽；控制所述第二温度区域达到第二预定温度以加热所述金属元素源，使得所述金属元素源蒸发以产生金属元素源蒸汽；控制所述第三温度区域达到第三预定温度以加热所述基片；

提供载气并使其顺序流过所述第一温度区域、所述第二温度区域和所述第三温度区域，从而将所述硫族元素源蒸汽与所述金属元素源蒸汽载送至第三温度区域，并在所述基片上沉积并生长形成所述金属硫属化物薄膜。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一加热温区、第二加热温区以及第三加热温区沿水平方向顺次布置。

3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述第一加热温区、第二加热温区以及第三加热温区由管式炉提供，所述第一加热温区、第二加热温区以及第三加热温区的相邻温区之间设置有隔热区。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述第一加热温区、第二加热温区、第三加热温区以及隔热区的长度分别为10-20cm，5-15cm、15-25cm以及3-8cm。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述硫族元素源选自S、Se、Te其中之一的元素单质，或包含S、Se、Te其中之一元素的化合物；所述金属元素源选自包含Mo、W、V、Nb、Ta、Ti、Zr、Sn、Ge其中之一元素的化合物。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述硫族元素源为硫粉，所述金属元素源为三氧化钼。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述第一加热温区、第二加热温区以及第三加热温区的温度分别设置为120-150℃、500-600℃、700-800℃。

8.根据权利要求6或7所述的制备方法，其特征在于，所述硫粉与三氧化钼的摩尔比为20-100：1。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述硫粉为300-600mg，三氧化钼为30-60mg。

10.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述管式炉内的气压为1-1.5torr。