[发明专利]极紫外光刻厚掩模缺陷的快速仿真方法

说明书

技术领域

本发明涉及极紫外光刻掩模，特别是一种极紫外光刻厚掩模缺陷的快速仿真方法。

背景技术

掩模缺陷是极紫外光刻发展过程中的主要障碍之一。掩模缺陷极大的影响极紫外光刻掩模的多层膜反射率，因此需要一定的方法进行补偿，而准确、快速地仿真掩模缺陷对掩模成像的影响是补偿的主要依据和大面积掩模仿真的要求。因此研究快速而准确的掩模缺陷仿真方法具有十分重要的意义。

目前，极紫外光刻掩模仿真通常采用的是严格仿真方法求解掩模衍射场分布如FDTD方法（参见在先技术1，T.Pistor,Y.Deng,and A.Neureuther,“Extreme ultraviolet mask defect simulation:low-profile defects”,J.Vac.Sci.Technol.B18,2926-2929(2000)），波导法（参见在先技术2，Peter Evanschitzky and Andreas Erdmann,“Fast near field simulation of optical and EUV masks using the waveguide method”,Proc.of SPIE Vol.6533,65330Y(2007)）。严格仿真方法主要通过计算麦克斯韦方程组得到准确的掩模衍射场分布，但严格仿真方法计算量大，计算速度慢，不利于大面积的掩模仿真计算和数据统计分析，并且严格仿真涉及数值计算，无法给出与现有光刻成像公式兼容的衍射谱解析表达式。为了提高计算速度，Yuting Cao等人提出了极紫外光刻解析模型仿真方法（在先技术3，Yuting Cao,Xiangzhao Wang,Andreas Erdmann,Peng Bu,and Yang Bu,“Analytical model for EUV mask diffraction field calculation”,Proc.of SPIE Vol.8171,81710N(2011)）。该方法通过分解掩模结构计算衍射谱，吸收层采用薄掩模模型和点脉冲修正，多层膜采用平面镜近似，并通过与严格仿真比对得到相位传播的补偿距离，与在先技术2相比，在掩模图形周期44nm，特征尺寸22nm，误差3%以内的情况下，运算速度提高近100倍，并且此方法给出了掩模衍射谱的解析表达式，但该仿真方法仅能用于无缺陷掩模仿真，限制了该方法的应用范围。

发明内容

本发明的目的在于提供一种极紫外光刻厚掩模缺陷的快速仿真方法，该方法可以有效的表征掩模缺陷对掩模成像的影响，并可以提高掩模缺陷的仿真速度。

本发明的技术解决方案如下：

一种极紫外光刻厚掩模缺陷的快速仿真方法，该方法包含如下的步骤：

（1）仿真掩模吸收层衍射谱：

吸收层薄掩模近似的复透射系数为：

t′(x)=t(x)+Aejφδ(x-w2)+Aejφδ(x+w2),]]>