[发明专利]用于暗电流校正的系统、设备和方法无效

专利信息
申请号: 201310102875.8 申请日: 2013-03-27
公开(公告)号: CN103369263A 公开(公告)日: 2013-10-23
发明(设计)人: 陈刚;毛杜立;戴幸志;霍华德·E·罗兹 申请(专利权)人: 全视科技有限公司
主分类号: H04N5/361 分类号: H04N5/361
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 齐杨
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 用于 电流 校正 系统 设备 方法
【权利要求书】:

1.一种固态图像拾取设备,其包含:

像素单元,其包含多个像素;

快门单元,其安置在所述像素单元上方;

像素控制单元,其用于响应于接收到图像俘获命令来控制所述像素单元的多个像素胞元,包括经由所述快门单元建立使入射于所述像素单元的每一像素上的光暴露的第一状态,和遮蔽入射光使其不照射所述像素单元的一个或一个以上像素的第二状态;以及

读出单元,用于:

读取在所述第一状态和所述第二状态期间俘获的来自所述像素单元的每一像素的图像信号数据;以及

输出场景图像数据,所述场景图像数据包含在所述第一状态期间俘获的图像信号数据的子集,和包括在所述第二状态期间俘获的图像信号数据的子集的暗电流分量。

2.根据权利要求1所述的设备,其中所述像素单元包含互补金属氧化物半导体CMOS背侧照明式BSI像素的阵列。

3.根据权利要求1所述的设备,其中所述像素单元包含互补金属氧化物半导体CMOS前侧照明式FSI像素的阵列。

4.根据权利要求1所述的设备,其中所述快门单元包括用于覆盖所述像素单元的所述像素的金属层。

5.根据权利要求1所述的设备,其中所述快门单元包含液晶快门单元。

6.根据权利要求5所述的设备,其中所述液晶快门单元包含:

第一和第二透明电极;以及

液晶胞元,其安置在所述透明电极之间。

7.根据权利要求5所述的设备,其中所述液晶快门单元包含:

透明电极;以及

液晶胞元,其安置在所述透明电极与安置在所述像素单元上方的防护玻璃罩组合件之间。

8.根据权利要求1所述的设备,其中在所述第一状态期间俘获的所述信号数据是在在所述第二状态期间俘获的所述信号数据之后俘获的。

9.根据权利要求1所述的设备,其中在所述第二状态期间俘获的所述信号数据是在在所述第一状态期间俘获的所述信号数据之后俘获的。

10.根据权利要求1所述的设备,所述像素单元进一步包含:

彩色滤光片层,其覆盖所述多个像素;以及

微透镜阵列,其安置在所述彩色滤光片层上方并且与所述多个像素对准。

11.一种方法,其包含:

接收图像俘获命令;

响应于接收到所述图像俘获命令经由像素单元的多个像素胞元俘获图像信号数据,其中俘获图像信号数据包括经由安置在所述像素单元上方的快门单元建立使入射于所述像素单元的每一像素上的光暴露的第一状态,和遮蔽入射光使其不照射所述像素单元的一个或一个以上像素的第二状态;

读取在所述第一状态和所述第二状态期间俘获的来自所述像素单元的每一像素的图像信号数据;以及

输出场景图像数据,所述场景图像数据包含在所述第一状态期间俘获的图像信号数据的子集,和包括在所述第二状态期间俘获的图像信号数据的子集的暗电流分量。

12.根据权利要求11所述的方法,其中所述像素单元包含互补金属氧化物半导体CMOS背侧照明式BSI像素的阵列。

13.根据权利要求11所述的方法,其中所述像素单元包含互补金属氧化物半导体CMOS前侧照明式FSI像素的阵列。

14.根据权利要求11所述的方法,其中所述快门单元包括用于覆盖所述像素单元的所述像素的金属层。

15.根据权利要求11所述的方法,其中所述快门单元包含液晶快门单元。

16.根据权利要求15所述的方法,其中所述液晶快门单元包含:

第一和第二透明电极;以及

液晶胞元,其安置在所述透明电极之间。

17.根据权利要求15所述的方法,其中所述液晶快门单元包含:

透明电极;以及

液晶胞元,其安置在所述透明电极与安置在所述像素单元上方的防护玻璃罩组合件之间。

18.根据权利要求11所述的方法,其中在所述第一状态期间俘获的所述信号数据是在在所述第二状态期间俘获的所述信号数据之后俘获的。

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