[发明专利]一种355nm高阈值高反膜的制备方法

权利要求书

1.一种355nm高阈值高反膜的制备方法，其特征在于具体步骤如下：

（1）将基板清洗干净，采用高纯氮气吹干后放入镀膜机；

（2）控制镀膜机内真空室的本底真空度小于1×10^-3Pa；

（3）将基板加热至180-200度，并恒温70-90分钟；

（4）采用热舟蒸发法镀制LaF₃和MgF₂，蒸镀LaF₃的速率为0.32nm/s，蒸镀MgF₂的速率为0.7nm/s；

（5）采用高能沉积技术制备SiO₂层，控制蒸镀速率为0.5nm/s，氧分压为4.5E^-2Pa；

（6）待真空室冷却至室温后取出镀制好的样品。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于所得355nm高阈值高反膜的膜系结构为：S|（0.8H0.2M L）^N  L| AIR，其中S代表基板，H代表1/4波长厚度的LaF₃，L代表1/4波长厚度的MgF₂，M代表1/4波长厚度的SiO₂，参考波长为355nm，N代表膜层交期的周期数， AIR代表空气。

3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于所述的基板采用光学玻璃或晶体。