[发明专利]具有不对称环壁的发光二极管晶片承载座

说明书

技术领域

本发明有关于一种发光二极管，尤指一种具有不对称环壁的发光二极管晶片承载座。

背景技术

发光二极管（Light Emitting Diode；LED）具有寿命长、反应快、节能省电及安全等优点，并随着技术进步，LED的亮度等级也越来越高，使发光二极管已广泛用于照明装置。

传统的发光二极管，其主要包括一承载座及放置在承载座的发光二极管晶片，此承载座包含一塑胶杯体及设置于塑胶杯体内部的一导线架，发光二极管晶片固定于导线架上，并承载座于发光二极管晶片周围形成一环壁，最后利用环壁将发光二极管晶片的光线反射，从而让光线集中一范围照射。

然而，发光二极管晶片垂直所在平面的方向具有一光轴，光轴和环壁之间的夹角越大，则光线反射后的照射范围越大，以增加发光二极管的照射范围；但若于一承载座内放置二个发光二极管晶片，各发光二极管晶片的光轴和环壁之间的夹角越大，则部分光线就会交叉而产生干涉区域，造成不均匀的明暗光波纹，导致发光二极管降低亮度。

有鉴于此，本发明人遂针对上述现有技术，特潜心研究并配合学理的运用，尽力解决上述的问题点，即成为本发明人开发的目标。

发明内容

本发明的目的，在于提供一种具有不对称环壁的发光二极管晶片承载座，其利用环壁两侧不对称，而使光轴和环壁两侧之间形成有不同的夹角，使发光二极管一侧具有广泛地照射范围，另一侧能够缩小光线交叉的干涉区域，避免光干涉的发生。

为了达成上述的目的，本发明提供一种具有不对称环壁的发光二极管晶片承载座，所述发光二极管晶片沿一光轴方向发光，该承载座包括：

一基座，包含一塑胶杯体及固置于该塑胶杯体的一导线架，该塑胶杯体内设有至少一凹坑部，该凹坑部内具有一底壁及形成在该底壁周缘的一环壁，该环壁上具有相对的一第一侧壁及一第二侧壁，所述发光二极管晶片固定在该底壁并和该导线架电性连接，并该第一侧壁和所述光轴之间形成一第一夹角，该第二侧壁和所述光轴之间形成一第二夹角，该第一夹角的角度大于该第二夹角的角度。

其中，该第一夹角的角度和该第二夹角的角度的总和等于90°。

其中，该塑胶杯体具有一环墙及在该环墙形成一容置区，该导线架具有裸露于该容置区底部的一支架，该凹坑部形成在该支架上。

其中，该支架包含相互分离的一第一支架及一第二支架，并该塑胶杯体于该第一支架及该第二支架之间形成一绝缘段。

其中，凹坑部的数量为二，其一该凹坑部自该第一支架上凹设成型，另一该凹坑部自该第二支架上凹设成型，而令其一该环壁由该第一支架围设成型，另一该环壁由该第二支架围设成型。

其中，凹坑部的数量为二，其一该凹坑部自该第一支架上及该绝缘段一侧凹设成型，另一该凹坑部自该第二支架上及该绝缘段另一侧凹设成型，而令其一该环壁由该第一支架及该绝缘段一侧围设成型，另一该环壁由该第二支架及该绝缘段另一侧围设成型。

其中，凹坑部的数量为二，该绝缘段的高度突出该第一支架及该第二支架，其一该凹坑部形成于该环墙、该第一支架及该绝缘段之间，另一该凹坑部形成于该环墙、该第二支架及该绝缘段之间，而令其一该环壁由该环墙及该绝缘段一侧围设成型，另一该环壁由该环墙及该绝缘段另一侧围设成型。

其中，该二凹坑部呈并列排列，并该基座于该二凹坑部之间形成一凸肋，该二第二侧壁分别形成在该凸肋的两侧。

其中，该环壁为一矩形状环壁，该矩形状环壁具有相对的二长边段及二短边段，该第一侧壁形成在其一该短边段上，该第二侧壁形成在另一该短边段上。

其中，该环壁为一矩形状环壁，该矩形状环壁具有相对的二长边段及二短边段，该第一侧壁形成在其一该长边段上，该第二侧壁形成在另一该长边段上。

本发明还具有以下功效：

第一、凹坑部的数量为二以上，各凹坑部的环壁两侧不对称，使发光二极管晶片的光轴和环壁两侧之间形成有不同的夹角，让发光二极管晶片并列排列时，二发光二极管晶片的外侧和光轴之间的夹角较大，而具有广泛地照射范围，并内侧和光轴之间的夹角较小，让光线在反射一定距离后才会发生交叉情形，而能够缩小光线交叉的干涉区域，避免光干涉的发生，使发光二极管同时具有照射范围广泛及体整均光的特点，而达到发光二极管亮度的提升。