[发明专利]半导体装置的制造方法、衬底处理方法、及衬底处理装置

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其包括下述工序：

形成薄膜的工序，通过进行规定次数包含下述工序的循环而在所述衬底上形成至少含有所述规定元素及碳的薄膜，所述工序为对处理容器内的衬底供给含有规定元素和卤元素的原料气体的工序和对所述处理容器内的所述衬底供给胺类气体的工序；和

对副产物进行改性的工序，通过向所述薄膜形成后的所述处理容器内供给氮化气体而对附着于所述处理容器内的副产物进行改性。

2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，

所述循环还包含对所述处理容器内的所述衬底供给氧化气体的工序，

在所述形成薄膜的工序中，在所述衬底上形成含有所述规定元素、氧、碳及氮的薄膜或含有所述规定元素、氧及碳的薄膜。

3.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，

所述对副产物进行改性的工序在将所述薄膜形成后的所述衬底收容于所述处理容器内的状态下进行。

4.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，

在进行所述对副产物进行改性的工序之后，将所述薄膜形成后的所述衬底从所述处理容器内搬出。

5.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，

所述对副产物进行改性的工序在将所述薄膜形成后的所述衬底从所述处理容器内搬出之后进行。

6.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，

所述副产物包含烷基。

7.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，

所述副产物包含烷基胺盐。

8.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，

所述胺类气体包含胺。

9.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，

所述胺类气体包含选自乙胺、甲胺、丙胺、异丙胺、丁胺及异丁胺中的至少1种胺。

10.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，

所述胺类气体包含选自三乙胺、二乙胺、一乙胺、三甲胺、二甲胺、一甲胺、三丙胺、二丙胺、一丙胺、三异丙胺、二异丙胺、一异丙胺、三丁胺、二丁胺、一丁胺、三异丁胺、二异丁胺、一异丁胺中的至少1种胺。

11.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，

在所述形成薄膜的工序中，在所述衬底上形成含有所述规定元素、碳及氮的薄膜。

12.一种衬底处理方法，其包括下述工序：

形成薄膜的工序，通过进行规定次数包含下述工序的循环而在所述衬底上形成至少含有所述规定元素及碳的薄膜，所述工序为对处理容器内的衬底供给含有规定元素和卤元素的原料气体的工序和对所述处理容器内的所述衬底供给胺类气体的工序；和

对副产物进行改性的工序，通过向所述薄膜形成后的所述处理容器内供给氮化气体而对附着于所述处理容器内的副产物进行改性。

13.一种衬底处理装置，其具有：

处理容器，其收容衬底；

原料气体供给系统，其向所述处理容器内供给含有规定元素和卤元素的原料气体；

胺类气体供给系统，其向所述处理容器内供给胺类气体；

氮化气体供给系统，其向所述处理容器内供给氮化气体；和

控制部，其对所述原料气体供给系统、所述胺类气体供给系统及所述氮化气体供给系统进行控制，以进行下述处理：

形成薄膜的处理，通过进行规定次数包含下述处理的循环而在所述衬底上形成至少含有所述规定元素及碳的薄膜，所述处理为对所述处理容器内的衬底供给所述原料气体的处理和对所述处理容器内的所述衬底供给所述胺类气体的处理；和对副产物进行改性的处理，通过向所述薄膜形成后的所述处理容器内供给氮化气体而对附着于所述处理容器内的副产物进行改性。