[发明专利]用于介电薄膜的原子层沉积的化学品的光激发的方法和装置无效

专利信息
申请号: 201310103526.8 申请日: 2007-05-02
公开(公告)号: CN103215570A 公开(公告)日: 2013-07-24
发明(设计)人: K·K·辛格;M·马哈贾尼;S·G·加那耶姆;J·约德伏斯基;B·麦克道尔 申请(专利权)人: 应用材料公司
主分类号: C23C16/455 分类号: C23C16/455;C23C16/458;C23C16/46;C23C16/509;H01J37/32
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 陆勍
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 用于 薄膜 原子 沉积 化学品 激发 方法 装置
【权利要求书】:

1.一种装置,包括:

腔室;

基材支撑件,设置于所述腔室中并面向所述腔室的顶部;以及

气体注入器,沿所述腔室的侧边设置于所述腔室内,所述气体注入器包括气流通道,该气流通道是激励所述气流通道中的气体的能量源。

2.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述气流通道形成于电极中。

3.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述气体注入器是电极。

4.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述气体注入器包括UV源。

5.如权利要求2所述的装置,其特征在于,所述注入器被定向为与所述基材支撑件所限定的平面相垂直的方向。

6.如权利要求3所述的装置,其特征在于,所述气体注入器被垂直定向。

7.如权利要求6所述的装置,其特征在于,所述的气体注入器包括垂直开口。

8.一种装置,包括:

腔室;

基材支撑件,设置于所述腔室中并面向所述腔室的顶部;

气体注入器,沿所述腔室的侧边设置于所述腔室内,所述气体注入器包括形成于电极中的气流通道;以及

排气组件,包括电极。

9.如权利要求8所述的装置,其特征在于,所述气体注入器和所述排气组件中的每一个都被定向为与所述基材支撑件所限定的平面相垂直的方向。

10.如权利要求8所述的装置,其特征在于,所述排气组件包括多个电极。

11.如权利要求8所述的装置,其特征在于,进一步包括:连接于所述气体注入器和所述排气组件的电源。

12.如权利要求8所述的装置,其特征在于,所述基材支撑件位于所述气体注入器和所述排气组件之间。

13.如权利要求8所述的装置,其特征在于,所述气体注入器包括多个垂直开口。

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