[发明专利]去除浮栅尖角的闪存及其制造方法

权利要求书

1.一种去除浮栅尖角的闪存的制造方法，包括如下步骤：

提供一半导体衬底，所述半导体衬底有交替排列的有源区和浅沟槽隔离，所述有源区上有遂穿氧化层；

淀积第一多晶硅，用于覆盖所述遂穿氧化层和浅沟槽隔离，其中，所述浅沟槽隔离上的第一多晶硅高于所述遂穿氧化层上的第一多晶硅；

在所述浅沟槽隔离上的第一多晶硅中开设窗口，形成具有尖角的浮栅，所述窗口暴露出所述浅沟槽隔离的表面；

在所述窗口中及尖角的浮栅之上，淀积有机抗反射涂层；

采用基于碳的刻蚀气体对所述有机抗反射涂层和尖角的浮栅进行干法刻蚀，形成去除尖角的浮栅后，所述窗口中的有机抗反射涂层与所述去除尖角的浮栅表面平齐；

通过灰化工艺去除所述有机抗反射涂层后，再采用清洗工艺进行清洗，暴露出所述窗口。

2.根据权利要求1所述的去除浮栅尖角的闪存的制造方法，其特征在于，采用基于碳的刻蚀气体对所述有机抗反射涂层和尖角的浮栅进行干法刻蚀，形成去除尖角的浮栅后，所述窗口中的有机抗反射涂层与所述去除尖角的浮栅表面平齐的步骤中，

通过一终点探测装置探测到所述有机抗反射涂层下的浮栅时，停止所述干法刻蚀。

3.根据权利要求1所述的去除浮栅尖角的闪存的制造方法，其特征在于，所述有机抗反射涂层的厚度为

4.根据权利要求1所述的去除浮栅尖角的闪存的制造方法，其特征在于，所述尖角的浮栅与有机抗反射涂层的刻蚀选择比为1∶1。

5.根据权利要求1所述的去除浮栅尖角的闪存的制造方法，其特征在于，所述的基于碳的刻蚀气体为四氟化碳、三氟甲烷或二氟甲烷中的一种或多种混合气体。

6.根据权利要求1的所述的去除浮栅尖角的闪存的制造方法，其特征在于，还包括如下步骤：

淀积叠层栅极介电层，用于覆盖所述去除尖角的浮栅和窗口；

形成控制栅极，所述控制栅极位于所述叠层栅极介电层之上。

7.一种利用权利要求1至6中任意一项所述的去除浮栅尖角的闪存的制造方法制造的去除浮栅尖角的闪存，包括：

半导体衬底，所述半导体衬底具有交替排列的有源区和浅沟槽隔离，所述有源区上具有遂穿氧化层；

去除尖角的浮栅，位于所述遂穿氧化层以及与所述遂穿氧化层紧邻的部分浅沟槽隔离之上。

8.根据权利要求7所述的去除浮栅尖角的闪存，其特征在于，还包括：

叠层栅极介电层，位于所述去除尖角的浮栅和浅沟槽隔离之上；

控制栅极，位于所述叠层栅极介电层之上。