[发明专利]影像传感器有效
申请号: | 201310103956.X | 申请日: | 2013-03-28 |
公开(公告)号: | CN104079840B | 公开(公告)日: | 2017-05-17 |
发明(设计)人: | 王佳祥 | 申请(专利权)人: | 恒景科技股份有限公司 |
主分类号: | H04N5/335 | 分类号: | H04N5/335;H04N5/378 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人: | 张伟,王英 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 影像 传感器 | ||
1.一种影像传感器,包括:
一像素阵列,由多个行与多个列的感光元件所组成;
一读取电路,耦接至该像素阵列,包括多个列放大器,其中各列放大器分别耦接至该像素阵列的一列感光元件,用以产生对应的一感测电压;以及
一压降控制电路,耦接于该读取电路与一电源线之间,用以为该读取电路隔绝该电源线所产生的一电源电压降,使得该读取电路的各列放大器均通过该压降控制电路接收到大小相等的一区域电压,其中该读取电路的该多个列放大器均耦接至该压降控制电路。
2.如权利要求1所述的影像传感器,其中该压降控制电路包括:
多个晶体管,各晶体管分别包括一第一极耦接至该电源线,一第二极耦接至该多个列放大器之一,以及一控制极耦接至一参考电压。
3.如权利要求2所述的影像传感器,其中该多个晶体管为N型金属氧化物半导体晶体管。
4.如权利要求1所述的影像传感器,其中该压降控制电路包括:
多个晶体管,各晶体管分别包括一第一极耦接至该电源线,一第二极耦接至该多个列放大器中的多于一个,以及一控制极耦接至一参考电压。
5.如权利要求1所述的影像传感器,其中该压降控制电路包括:
多个群晶体管,各群晶体管分别耦接于该电源线与该多个列放大器之一之间,并且分别至少包括:
一第一晶体管,包括一第一极耦接至该电源线,以及一控制极耦接至一第一参考电压;以及
一第二晶体管,包括一第一极耦接至该第一晶体管的一第二极,一第二极耦接至该多个列放大器之一,以及一控制极耦接至一第二参考电压。
6.如权利要求1所述的影像传感器,其中该压降控制电路包括:
多个群晶体管,各群晶体管分别耦接于该电源线与该多个列放大器中的至少一个之间,并且分别至少包括:
一第一晶体管,包括一第一极耦接至该电源线,以及一控制极耦接至一第一参考电压;以及
一第二晶体管,包括一第一极耦接至该第一晶体管的一第二极,一第二极耦接至该多个列放大器中的至少一个,以及一控制极耦接至一第二参考电压。
7.如权利要求1所述的影像传感器,其中该压降控制电路包括:
多个群晶体管,各群晶体管分别耦接于该电源线与该多个列放大器之一之间,并且分别至少包括:
一第一晶体管,包括一第一极耦接至该电源线,以及一控制极耦接至一第一参考电压;
一第二晶体管,包括一第一极耦接至该第一晶体管的一第二极,以及一控制极耦接至一第二参考电压;以及
一第三晶体管,包括一第一极耦接至该第二晶体管的一第二极,一第二极耦接至该多个列放大器之一,以及一控制极耦接至一第三参考电压。
8.如权利要求1所述的影像传感器,其中该压降控制电路包括:
多个群晶体管,各群晶体管分别耦接于该电源线与该多个列放大器中的至少一个之间,并且分别至少包括:
一第一晶体管,包括一第一极耦接至该电源线,以及一控制极耦接至一第一参考电压;
一第二晶体管,包括一第一极耦接至该第一晶体管的一第二极,以及一控制极耦接至一第二参考电压;以及
一第三晶体管,包括一第一极耦接至该第二晶体管的一第二极,一第二极耦接至该多个列放大器中的至少一个,以及一控制极耦接至一第三参考电压。
9.一种影像传感器,包括:
一像素阵列,由多个行与多个列的感光元件所组成;
一读取电路,耦接至该像素阵列,包括多个列放大器,其中各列放大器分别耦接至该像素阵列的一列感光元件,用以产生对应的一感测电压;以及
一压降控制电路,包括多个晶体管平行耦接于该读取电路与一电源线之间,用以为该读取电路隔绝该电源线所产生的一电源电压降,使得该读取电路的各列放大器均通过该压降控制电路接收到大小相等的一区域电压,其中该读取电路的该多个列放大器均耦接至该多个晶体管之一。
10.如权利要求9所述的影像传感器,其中该多个晶体管为N型金属氧化物半导体晶体管。
11.如权利要求9所述的影像传感器,其中各晶体管分别包括一第一极耦接至该电源线,一第二极耦接至该多个列放大器之一,以及一控制极耦接至一参考电压。
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