[发明专利]一种CMOS图像传感器及其制造方法有效
| 申请号： | 201310104808.X | 申请日： | 2013-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN103151365A | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | 陈多金;唐冕;陈杰;旷章曲 | 申请（专利权）人： | 北京思比科微电子技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京凯特来知识产权代理有限公司 11260 | 代理人： | 郑立明;赵镇勇 |
| 地址： | 100085 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 cmos 图像传感器 及其 制造 方法 | ||
1.一种CMOS图像传感器，其特征在于，包括：基底及位于基底上方的像素单元；
所述像素单元包括：阴性金属氧化物半导体NMOS管及感光二极管；所述NMOS管的源极和漏极及所述感光二极管的感光区为阴性N型注入层，所述NMOS管与感光二极管通过阳性P型注入层连为一体，且所述P型注入层与所述NMOS管及感光二极管中的N型注入层形成PN结；
所述像素单元通过PN结及设置在基底上部的P型掩埋层与所述基底连为一体。
2.根据权利要求1所述的传感器，其特征在于，还包括：在所述基底上设置若干个像素单元，相邻像素单元之间通过P型注入层相连。
3.根据权利要求1或2所述的设置，其特征在于，还包括：在所述基底上设置用于掩蔽所述P型注入层的掩蔽层，且该掩蔽层与所述P型注入层连为一体。
4.根据权利要求1所述的传感器，其特征在于，所述基底为厚度2～8μm的P型外延层，其掺杂浓度为1E15～1E16/cm3。
5.根据权利要求1所述的传感器，其特征在于，所述NMOS管的源极和漏极的N型注入层的注入浓度为1E18～1E19/cm3，注入结深为0.1～0.3μm。
6.根据权利要求1所述的传感器，其特征在于，所述感光二极管的感光区的N型注入层的注入浓度为1E16～1E18/cm3，注入结深为0.3～0.8μm。
7.根据权利要求1所述的传感器，其特征在于，所述P型注入层的注入浓度为2E18～1E20/cm3，其注入结深为0.05～0.8μm。
8.根据权利要求1所述的传感器，其特征在于，所述P型掩埋层的注入浓度为2E16～2E18/cm3，其注入结深为0.5～1.0μm。
9.一种CMOS图像传感器的制造方法，其特征在于，该方法包括：
在基底上设置P型掩埋层，并在该P型掩埋层上设置像素单元；
其中，设置所述像素单元的步骤包括：设置阴性金属氧化物半导体NMOS管及感光二极管；在所述NMOS管的源极和漏极及所述感光二极管的感光区通过注入阴性N型电子形成N型注入层，并在所述NMOS管与感光二极管间注入可与所述N型注入层形成PN结的阳性P型电子；
所述像素单元通过PN结与P型掩埋层与所述基底连为一体。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，该方法还包括：在所述基底上设置若干个像素单元，通过注入P型电子形成P型注入层连接相邻像素单元。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
