[发明专利]一种阵列基板及其制造方法和显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，所述阵列基板包括显示区域及非显示区域，其特征在于，所述非显示区域包括至少一个光感应传感器，其中，每个所述光感应传感器包括：

位于基板上且用于遮挡背光源发出的光线的遮光层；

位于所述遮光层上的绝缘层；

位于所述绝缘层上与所述遮光层位置对应且用于感测外部光线的非晶硅层；

位于所述非晶硅层上且互不接触的输入电极与输出电极，其中，所述输入电极与所述输出电极均与所述非晶硅层接触，形成导电沟道；所述输出电极与光电检测电路连接，用于将所述导电沟道产生的漏电流传输至所述光电检测电路。

2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述遮光层所覆盖的区域大于所述非晶硅层所覆盖的区域。

3.如权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，所述输入电极上施加大于所述光感应传感器的开启电压的电压。

4.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述遮光层上施加小于所述光感应传感器的夹断电压的电压。

5.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述遮光层与所述显示区域中包含的薄膜晶体管TFT的栅极位于同一层且采用相同材料；

所述绝缘层与所述TFT的栅绝缘层为同一结构层；

所述非晶硅层与所述TFT的有源层位于同一层且采用相同材料；

所述输入电极与所述TFT的源极位于同一层且采用相同材料；

所述输出电极与所述TFT的漏极位于同一层且采用相同材料。

6.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述光感应传感器还包括：位于所述输入电极与所述输出电极上的保护层。

7.如权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述保护层与所述显示区域中的钝化层为同一结构层。

8.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括如权利要求1～7任一项所述的阵列基板。

9.如权利要求8所述的显示装置，其特征在于，所述显示装置中与所述光感应传感器对应的位置上设置有通孔，所述光感应传感器中的非晶硅层能够通过所述通孔感测外界的光线。

10.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：

通过一次构图工艺，在基板上的显示区域内形成栅极，以及在所述基板的非显示区域内形成用于遮挡背光源发出的光线的遮光层；

通过一次构图工艺，在形成了所述栅极及所述遮光层的基板上形成绝缘层，并在形成了所述绝缘层的基板上的显示区域内且与所述栅极对应的位置上形成有源层，以及在形成了所述绝缘层的基板上的非显示区域内且与所述遮光层对应的位置上形成非晶硅层；

通过一次构图工艺，在形成了所述有源层的基板的显示区域内形成位于所述有源层上且互不接触的源极与漏极，以及在形成了所述非晶硅层的基板上的非显示区域内，形成位于所述非晶硅层上且互不接触的输入电极与输出电极，其中，所述源极与漏极均与所述有源层接触；所述输入电极与所述输出电极均与所述非晶硅层接触，形成导电沟道；所述输出电极与光电检测电路连接，用于将所述导电沟道产生的漏电流传输至所述光电检测电路。

11.如权利要求10所述的制造方法，其特征在于，所述遮光层与所述栅极位于同一层且采用相同材料；

所述非晶硅层与所述有源层位于同一层且采用相同材料；

所述输入电极与所述源极位于同一层且采用相同材料；

所述输出电极与所述漏极位于同一层且采用相同材料。

12.如权利要求10所述的制造方法，其特征在于，所述制造方法还包括：

通过一次构图工艺，在形成了所述源极与所述漏极、以及所述输入电极与所述输出电极的基板上，形成保护层，并在所述保护层上分别与所述漏极、所述遮光层、所述输入电极及所述输出电极上形成过孔。

13.如权利要求12所述的制造方法，其特征在于，所述制造方法还包括：

通过一次构图工艺，在形成了所述保护层的基板上的显示区域内，形成像素电极。