[发明专利]用于半导体结构的方法和装置

权利要求书

1.一种用于半导体结构的装置，包括：

第一器件，具有其上形成有第一接合层的表面，所述第一接合层提供与所述第一器件的电连接；

第二器件，具有其上形成有第二接合层的表面，所述第二接合层提供与所述第二器件的电连接；

位于所述第一器件和所述第二器件之间的微室；以及

其中，所述第一接合层和所述第二接合层接合在一起，并且所述第一接合层包括第一层和第二层，所述第一接合层的第一层包含暴露于所述微室的吸气材料并且所述第一接合层的第二层包含共晶金属材料，

其中，所述第一器件包括第一互连结构，所述第一接合层覆盖所述第一互连结构并延伸到可以暴露于微室的所述半导体结构的内部。

2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第二接合层包括第一层和第二层，所述第二接合层的第一层包含所述吸气材料并且所述第二接合层的第二层包含共晶金属材料。

3.根据权利要求1所述的装置，其中，所述吸气材料包括选自由锆、钡、钛、基于铝的合金和它们的组合所组成的组中的材料。

4.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一接合层或所述第二接合层包括共晶合金材料。

5.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一接合层或所述第二接合层包括选自由铟、金、锡、铜和它们的组合所组成的组中的材料。

6.根据权利要求1所述的装置，其中，在所述第一器件和所述第二器件中的至少一个器件中形成有电气器件。

7.根据权利要求1所述的装置，其中，在所述第一器件和所述第二器件中的至少一个器件中形成有MEMS型电气器件，其中所述MEMS型电气器件暴露于所述微室。

8.一种用于半导体结构的装置，包括：

器件，具有互连结构、腔和在所述器件内形成的至少一个电气器件；以及

接合层，覆盖所述器件的所述互连结构，所述接合层包含导电吸气材料和共晶金属材料，所述导电吸气材料具有与所述至少一个电气器件连接的一部分和暴露于所述腔的一部分。

9.根据权利要求8所述的装置，其中，所述吸气材料包括选自由锆、钡、钛、基于铝的合金和它们的组合所组成的组中的材料。

10.根据权利要求8所述的装置，其中，所述接合层被形成为具有200nm至5000nm的厚度。

11.一种形成半导体结构的方法，包括：

在第一器件的第一表面上形成第一接合层；

在第二器件的第一表面上形成第二接合层，所述第二器件包括一个或多个微室；以及

将所述第一接合层接合至所述第二接合层从而在所述第一器件和所述第二器件之间形成电连接，其中所述第一接合层和所述第二接合层中的至少一层包含暴露于所述一个或多个微室的吸气材料，

其中，所述第一器件包括第一互连结构，所述第一接合层覆盖所述第一互连结构并延伸到可以暴露于微室的所述半导体结构的内部。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述接合包括加热达到100℃至500℃范围内的第一温度。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述接合包括施加10KN至100KN范围内的压力。

14.根据权利要求11所述的方法，其中，所述第一接合层或所述第二接合层包括第一层和第二层，所述第一层包含所述吸气材料并且所述第二层包含共晶材料。

15.根据权利要求11所述的方法，还包括：

图案化所述第一接合层或所述第二接合层以覆盖所述第一器件的相应第一表面或所述第二器件的相应第一表面的10％至90％。

16.根据权利要求11所述的方法，其中，所述第一接合层或所述第二接合层被形成为具有200nm至5000nm的厚度。

17.根据权利要求11所述的方法，其中，所述吸气材料包括选自由锆、钡、钛、基于铝的合金和它们的组合所组成的组中的材料。

18.根据权利要求11所述的方法，其中，所述第一接合层或所述第二接合层包含共晶合金材料。

19.根据权利要求11所述的方法，其中，所述第一接合层或所述第二接合层包含选自由铟、金、锡、铜和它们的组合所组成的组中的材料。