[发明专利]具有低接触电阻率的互补金属氧化物半导体及其形成方法

权利要求书

1.一种互补金属氧化物半导体(CMOS)器件，包括：

n型金属氧化物半导体(NMOS)器件，具有夹置在第一金属接触件和NMOS源极之间以及第二金属接触件和NMOS漏极之间的含钛层；以及

p型金属氧化物半导体(PMOS)器件，具有PMOS源极和PMOS漏极，其中，所述PMOS源极具有朝向第三金属接触件的第一含钛区，所述PMOS漏极包括朝向第四金属接触件的第二含钛区。

2.根据权利要求1所述的CMOS器件，其中，所述含钛层是二氧化钛(TiO₂)。

3.根据权利要求1所述的CMOS器件，其中，所述含钛区是钛硅锗(Ti(Si)Ge)。

4.根据权利要求1所述的CMOS器件，其中，所述含钛区是二锗化钛(TiGe₂)。

5.根据权利要求1所述的CMOS器件，其中，所述NMOS器件和所述PMOS器件均包括电介质，且所述含钛层设置在以下位置中的至少一个中：所述第一金属接触件和所述电介质之间、所述第二金属接触件和所述电介质之间、所述第三金属接触件和所述电介质之间、以及所述第四金属接触件和所述电介质之间。

6.根据权利要求1所述的CMOS器件，其中，所述NMOS源极和所述NMOS漏极包括硅(Si)、磷化硅(SiP)、碳化硅磷(SiCP)和具有第一锗浓度的第一硅锗中的一种，所述PMOS源极和所述PMOS漏极包括锗(Ge)、锡化锗(GeSn)和具有第二锗浓度的第二硅锗(SiGe)中的一种，所述第二浓度高于所述第一浓度。

7.根据权利要求1所述的CMOS器件，其中，所述第一金属接触件、所述第二金属接触件、所述第三金属接触件和所述第四金属接触件包括钛(Ti)、铝(Al)、氮化钛(TiN)和钨(W)中的至少一种。

8.一种集成电路，包括：

基板，支撑第一栅极结构、第一源极/漏极区、第二栅极结构和第二源极/漏极区，其中，所述第二源极/漏极区包括含钛区；

第一金属接触件和第二金属接触件，所述第一金属接触件形成在所述第一源极/漏极区的上方，以及所述第二金属接触件形成在所述第二源极/漏极区的上方；

电介质，设置在所述第一栅极结构和所述第一金属接触件之间以及所述第二栅极结构和所述第二金属接触件之间；以及

含钛层，夹置在所述第一金属接触件和所述第一源极/漏极区之间。

9.根据权利要求8所述的集成电路，其中，所述含钛区是钛硅锗(Ti(Si)Ge)和二锗化钛(TiGe₂)中的至少一种，且所述含钛层是二氧化钛(TiO₂)。

10.一种形成集成电路的方法，包括：

在n型基板中形成第一源极/漏极区以及在p型基板中形成第二源极/漏极区；

在所述n型基板和所述p型基板的上方形成电介质；

在所述第一源极/漏极区和所述第二源极/漏极区上方的电介质中蚀刻沟槽；

在所述沟槽中沉积钛；以及

进行退火工艺，以在所述第一源极/漏极区的上方形成二氧化钛(TiO₂)并且在所述第二源极/漏极区中生成含钛区。