[发明专利]一种纳米线增强SiC耐磨涂层的制备方法

权利要求书

1.一种纳米线增强SiC耐磨涂层的制备方法，其特征在于步骤如下：

步骤1、预处理C/C复合材料：将C/C复合材料采用砂纸打磨抛光，然后依次分别用水和无水乙醇超声清洗15-20min，在空气中晾干或者烘干；

步骤2、在C/C复合材料表面制备多孔SiC纳米线层：分别称取质量百分比为10-20%的Si粉，15-30%的C粉，55-75%的SiO₂粉，置于松脂球磨罐中，球磨混合处理2-4小时；

步骤3：然后将步骤2制备好的粉料放入石墨坩埚中，并将步骤1处理的C/C复合材料用碳绳捆绑后悬挂在石墨坩埚内的粉料上方，将石墨坩埚放入真空加热炉中，以5-10℃/min升温速度将炉温从室温升至1600-1700℃，保温1-3小时；随后关闭电源自然冷却至室温，得到含SiC纳米线的C/C复合材料；全程氩气保护；

步骤4、在含SiC纳米线的C/C复合材料表面制备SiC涂层：称取质量百分比为10-20%的Si粉，80-90%的C粉，5-15%的Al₂O₃粉，置于松脂球磨罐中，球磨混合处理2-4小时后烘干；

步骤5：将步骤4制备的粉料铺于石墨坩埚底部，接着将含SiC纳米线的C/C复合材料放入坩埚里粉料表面，再在上面铺满步骤4制备的粉料直至将SiC纳米线的C/C复合材料没与粉料之中；

步骤6：将石墨坩埚放入空加热炉中，以氩气作为保护气体，以5-10℃/min升温速度将炉温从室温升至1800-2100℃，保温1-3小时；随后关闭电源自然冷却至室温。

2.根据权利要求1所述纳米线增强SiC耐磨涂层的制备方法，其特征在于：所述的Si粉的纯度为99.5%、粒度为300目。

3.根据权利要求1所述纳米线增强SiC耐磨涂层的制备方法，其特征在于：所述的C粉的纯度为99%，粒度为320目。

4.根据权利要求1所述纳米线增强SiC耐磨涂层的制备方法，其特征在于：所述的SiO₂粉的纯度为分析纯、粒度为300目。

5.根据权利要求1所述纳米线增强SiC耐磨涂层的制备方法，其特征在于：所述的Al₂O₃粉的纯度为分析纯、粒度为300目。