[发明专利]曝光装置、曝光装置的控制方法和器件制造方法

权利要求书

1.一种经由光学系统将基板上的抗蚀剂曝光的曝光装置，该曝光装置包括：

台子，被配置为在保持基板时将基板定位于曝光位置处；

获得单元，被配置为获得从在基板上形成的对准标记到抗蚀剂表面的距离以及抗蚀剂表面的倾斜度；以及

控制单元，被配置为使用所述距离和倾斜度计算用于校正曝光位置的偏移的校正值，并且根据校正值控制所述台子的位置，所述曝光位置的偏移是在为了减少抗蚀剂表面的倾斜而进行所述台子的倾斜校正时发生的。

2.根据权利要求1的曝光装置，其中，所述倾斜度是抗蚀剂表面的倾斜与其上形成有对准标记的基板的表面的倾斜之间的倾斜角的差值。

3.根据权利要求1的曝光装置，其中，所述控制单元根据下式获得校正值ΔL：

ΔL=ΔZ×sinα，

其中，ΔZ是所述距离，α是所述倾斜度。

4.根据权利要求1的曝光装置，其中，当抗蚀剂通过由不同材料制成的多个层形成时，所述获得单元获得从对准标记到抗蚀剂表面的各层的厚度、各层的表面的倾斜度和各层的材料的特性值。

5.根据权利要求1的曝光装置，其中，当对准标记被形成在基板的下表面上并且基板由至少一个层形成时，所述获得单元获得从对准标记到抗蚀剂表面的各层的厚度、各层的表面的倾斜度和各层的材料的特性值。

6.根据权利要求5的曝光装置，其中，基板包含由硅基板形成的层和由玻璃基板形成的层中的至少一个。

7.根据权利要求4的曝光装置，其中，所述控制单元根据下式获得校正值ΔL：

ΔL=sinαk×Σk=1n(Ck×ΔZk)]]>

其中，ΔZ_k是各层的厚度，α_k是各层的表面的倾斜度，C_k是代表各层的材料的特性值的系数，其中k是1～n的整数，n是层的数量。

8.根据权利要求1的曝光装置，还包括：

测量单元，被配置为执行全局测量和逐个裸芯片测量中的一个，在所述全局测量中，测量从用作基准的对准标记到抗蚀剂表面的距离和抗蚀剂表面的倾斜度作为整个基板的代表性的值，而在所述逐个裸芯片测量中，测量从在基板面内的不同位置处形成的对准标记到抗蚀剂表面的距离和抗蚀剂表面的倾斜度，

其中，所述获得单元获得由所述测量单元获得的测量结果。

9.一种曝光装置的控制方法，所述曝光装置包括在保持基板时将基板定位于曝光位置处的台子，并且所述曝光装置经由光学系统将基板上的抗蚀剂曝光，该方法包括：

获得步骤，获得从在基板上形成的对准标记到抗蚀剂表面的距离以及抗蚀剂表面的倾斜度；

计算步骤，使用所述距离和倾斜度计算用于校正曝光位置的偏移的校正值，所述曝光位置的偏移是在为了减少抗蚀剂表面的倾斜而进行台子的倾斜校正时发生的；以及

控制步骤，根据计算步骤中计算的校正值控制所述台子的位置。

10.一种器件的制造方法，该方法包括以下的步骤：

使用在权利要求1中限定的曝光装置将基板上的抗蚀剂曝光；和

将曝光的抗蚀剂显影。