[发明专利]基于胶体微球纳米透镜的无掩模光刻系统

权利要求书

1.一种无掩模光刻系统，包括曝光光源，其特征在于，所述无掩模光刻系统还包括由胶体微球纳米透镜和胶体微球纳米透镜支撑基片组成的聚焦元件，所述聚焦元件位于曝光光源和待曝光元件之间。

2.如权利要求1所述的无掩模光刻系统，其特征在于，

所述无掩模光刻系统还包括曝光移动平台，所述曝光移动平台位于所述胶体微球纳米透镜支撑基片之上，用于调整聚焦元件与待曝光元件之间的距离。

3.如权利要求1或2所述的无掩模光刻系统，其特征在于，

所述无掩模光刻系统还包括结像元件，所述结像元件位于所述曝光光源和聚焦元件之间，所述曝光光源发出的光束通过结像元件形成所需图案的阵列光束，投向聚焦元件。

4.如权利要求3所述的无掩模光刻系统，其特征在于，

所述结像元件通常为微型反射镜阵列或者掩模板。

5.如权利要求1或2所述的无掩模光刻系统，其特征在于，

所述胶体微球纳米透镜为胶体微纳米球所形成的具有点阵结构的单层胶体微纳米球阵列。

6.如权利要求5所述的无掩模光刻系统，其特征在于，

所述胶体微纳米球可以是高分子微球，例如聚苯乙烯微球；或者为无机氧化物透明微球，如二氧化硅微球。

7.如权利要求5所述的无掩模光刻系统，其特征在于，

所述单层胶体微纳米球阵列的形成可以通过旋涂或者自组装的方法获得。

8.如权利要求5所述的无掩模光刻系统，其特征在于，

所述胶体微纳米球可以是球形、半球或椭球体。

9.如权利要求5所述的无掩模光刻系统，其特征在于，所述胶体微纳米球的直径为0.05-3um。

10.如权利要求2所述的无掩模光刻系统，其特征在于，所述曝光移动平台的位移精度为纳米。