[发明专利]具有气隙沟槽隔离区的集成电路结构和相关设计结构

权利要求书

1.一种形成集成电路结构的方法，所述方法包括：

形成延伸穿过浅沟槽隔离区（STI）并进入衬底中的通气过孔；

选择性地去除所述通气过孔的底部处的所述衬底的暴露部分，以在所述衬底内形成开口，其中所述衬底内的所述开口邻接所述STI的底面或侧壁中的至少一者；以及

密封所述通气过孔以在所述衬底内的所述开口中形成气隙。

2.根据权利要求1的方法，还包括在所述密封之后，在所述通气过孔之上形成基极区。

3.根据权利要求1的方法，其中所述密封所述通气过孔包括在所述通气过孔之上形成覆盖层以形成所述气隙。

4.根据权利要求1的方法，还包括：

沿所述通气过孔的侧壁形成衬里层；

用填充材料填充所述通气过孔的剩余部分；以及

选择性去除所述填充材料，其中所述衬里层在所述选择性去除期间基本沿所述内壁保留。

5.根据权利要求1的方法，其中所述形成所述通气过孔包括在STI沟槽内在所述衬底之上形成氧化物层以及将所述通气过孔形成为延伸穿过所述氧化物层，

其中所述密封包括在所述通气过孔之上形成介电膜以及在所述介电膜之上形成等离子体氧化物层。

6.根据权利要求5的方法，其中所述密封还包括在所述形成所述等离子体氧化物层之后对所述等离子体氧化物层进行平面化。

7.根据权利要求1的方法，其中所述衬里层包括氧化物。

8.根据权利要求1的方法，其中所述气隙完全位于所述衬底内。

9.根据权利要求1的方法，其中所述形成所述通气过孔包括沿所述STI的侧壁的一部分形成所述通气过孔。

10.一种晶体管结构，包括：

衬底；

浅沟槽隔离区（STI），其位于所述衬底内；

基极区，其覆盖所述STI；

集电极区，其通过所述衬底与所述基极区分隔；

气隙区，其位于所述衬底内，所述气隙区邻接所述STI的下表面或所述STI的侧壁中的至少一者；以及

覆盖层，其密封所述气隙区。

11.根据权利要求10的晶体管结构，其中所述晶体管结构为异质双极结型晶体管（HBT）结构。

12.根据权利要求10的晶体管结构，还包括位于所述覆盖层之上的等离子体氧化物层。

13.根据权利要求10的晶体管结构，其中所述气隙完全位于所述衬底内。

14.根据权利要求10的晶体管结构，还包括与所述气隙相连并延伸到所述STI中的气隙扩展区。

15.根据权利要求14的晶体管结构，还包括沿所述气隙扩展区的侧壁延伸的衬里层。

16.一种用于设计、制造或测试半导体器件的在机器可读存储介质中有形地体现的设计结构，所述设计结构包括：

晶体管结构，其包括：

衬底；

浅沟槽隔离区（STI），其位于所述衬底内；

基极区，其覆盖所述STI；

集电极区，其通过所述衬底与所述基极区分隔；

气隙区，其位于所述衬底内，所述气隙区邻接所述STI的下表面或所述STI的侧壁中的至少一者；以及

覆盖层，其密封所述气隙区。

17.根据权利要求16的晶体管结构，还包括位于所述覆盖层之上的等离子体氧化物层。

18.根据权利要求16的晶体管结构，其中所述气隙完全位于所述衬底内。

19.根据权利要求16的晶体管结构，还包括与所述气隙相连并延伸到所述STI中的通气过孔。

20.根据权利要求16的晶体管结构，还包括沿所述通气过孔的侧壁延伸的衬里层。