[发明专利]一种采用湿氯气直接制备次氯酸盐的方法无效
申请号: | 201310106538.6 | 申请日: | 2013-03-28 |
公开(公告)号: | CN103172028A | 公开(公告)日: | 2013-06-26 |
发明(设计)人: | 陈海贤;沈芳明;魏增 | 申请(专利权)人: | 杭州海虹精细化工有限公司 |
主分类号: | C01B11/06 | 分类号: | C01B11/06 |
代理公司: | 杭州九洲专利事务所有限公司 33101 | 代理人: | 陈继亮 |
地址: | 311113 浙江省杭州市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 采用 氯气 直接 制备 氯酸盐 方法 | ||
技术领域
本发明涉及次氯酸盐领域,具体涉及一种采用湿氯气直接制备次氯酸盐的方法。
背景技术
目前氯碱行业中,对生产出来的氯气,常规均需要经过洗涤、干燥、压缩、液氯灌装、气化、硫酸处理等多个步骤后,在进行使用。这些工序的增加,直接导致了固定投资的增加,电耗的上升、电解槽开停车困难度增加,同时还增加了工厂的危险性。
而在实际生产次氯酸盐的过程中,反应体系内又存在大量的水,导致氯气干燥等工序的增加变成一种浪费。为此,在自产氯气能够完全供工厂内部消化,不需要灌装外卖的,均可采用该方法直接进行后一步化学反应。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术存在的不足,而提供一种不经过氯气干燥、压缩等工序的采用湿氯气直接制备次氯酸盐的方法。
本发明的目的是通过如下技术方案来完成的。这种采用湿氯气直接制备次氯酸盐的方法,该方法包括以下几个步骤:
a.湿氯气由电解槽电解生产后,经过氯气洗涤塔,靠自身压力经过管道直接送至次氯酸盐生产位;
b.配置次氯酸盐用碱液到一定的浓度,控制氢氧根离子的质量百分比浓度为1%~50%;
c.在反应器内湿氯气与碱液进行混合,根据碱液浓度的不同,制备不同浓度的次氯酸盐。
所述湿氯气的生产是电解氯化钠或氯化钾氯盐的任一种,湿氯气的含水率为0.1%以上至饱和。
所述电解法是离子膜电解法、或是隔膜电解法。
所述制备次氯酸盐的碱液是氢氧化钠、氢氧化钾、氢氧化钙的一种或几种。
制备次氯酸盐采用釜式、塔式或罐式能够使湿氯气与碱液接触的反应器。
本发明的有益效果为:该方法利用电解后湿氯气带有的一定压力,不再进行冷却脱水、干燥、液氯压缩、气化等步骤,直接生产次氯酸盐,通过省去相应的步骤,大幅度减少了氯碱厂电解开停车的难度,减少了能耗,解决了硫酸回收等一系列问题。
具体实施方式
下面通过具体实施方式对本发明作进一步阐述,实施例将帮助更好地理解本发明,但本发明并不仅仅局限于下述实施例。
本发明所述的这种采用湿氯气直接制备次氯酸盐的方法,该方法包括以下几个步骤:
a.湿氯气由电解槽电解生产后,经过氯气洗涤塔,靠自身压力经过管道直接送至次氯酸盐生产位;
b.配置次氯酸盐用碱液到一定的浓度,控制氢氧根离子的质量百分比浓度为1%~50%;
c.在反应器内湿氯气与碱液进行混合,根据碱液浓度的不同,制备不同浓度的次氯酸盐。
所述湿氯气的生产是电解氯化钠或氯化钾氯盐的任一种,湿氯气的含水率为0.1%以上至饱和。所述电解法是离子膜电解法、或是隔膜电解法。所述制备次氯酸盐的碱液是氢氧化钠、氢氧化钾、氢氧化钙的一种或几种。制备次氯酸盐采用釜式、塔式或罐式能够使湿氯气与碱液接触的反应器。
以次氯酸钠生产为例
实施例1
配置烧碱浓度为25%的烧碱溶液,通过泵达到次钠反应塔上部,经分布器分散后,靠重力作用向下运动;湿氯气由电解岗位经过氯气洗涤塔后经管道进入到次钠反应塔底部,湿氯气的含水率为5.3%;次钠反应塔顶部安装有尾气风机,使氯气向上运动,与烧碱溶液进行逆流接触,生产出次氯酸钠溶液。反应过程中,反应温度通过塔外循环换热控制反应温度为15℃。测得次氯酸钠溶液的有效氯为8.2%,游离碱为10.3%。
实施例2
配置烧碱浓度为25%的烧碱溶液,通过泵达到次钠反应塔上部,经分布器分散后,靠重力作用向下运动;湿氯气由电解岗位经过氯气洗涤塔后经管道进入到次钠反应塔底部,湿氯气的含水率为2.6%;次钠反应塔顶部安装有尾气风机,使氯气向上运动,与烧碱溶液进行逆流接触,生产出次氯酸钠溶液。反应过程中,反应温度通过塔外循环换热控制反应温度为15℃。测得次氯酸钠溶液的有效氯为15.2%,游离碱为2.6%。
实施例3
配置烧碱浓度为15%的烧碱溶液,通过泵达到次钠反应塔上部,经分布器分散后,靠重力作用向下运动;湿氯气由电解岗位经过氯气洗涤塔后经管道进入到次钠反应塔底部,湿氯气的含水率为8.1%;次钠反应塔顶部安装有尾气风机,使氯气向上运动,与烧碱溶液进行逆流接触,生产出次氯酸钠溶液。反应过程中,反应温度通过塔外循环换热控制反应温度为20℃。测得次氯酸钠溶液的有效氯为7.8%,游离碱为5.3%。
最后,应当指出,以上实例仅是本发明较有代表性的例子。显然,本发明的技术方案并不限于上述实例,还可以有许多变形,本领域的普通技术人员能从本发明公开的内容直接导出或联想到的所有变形,均应认为是本发明的保护范围。
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