[发明专利]用于控制半导体部件的方法

说明书

技术领域

本发明的实施例涉及一种用于控制半导体部件的方法。

背景技术

在诸如功率转换器或电机驱动装置的常规电路中，晶体管用于把电力供应给电感性负载。当高感应电压在断开通信期间出现时，晶体管上的电压降落和晶体管电流的乘积瞬间达到高值。因此，本发明的目的在于高效地操作半导体部件而不会超过该部件的最大能量强度。

发明内容

根据本发明的一个方面，提供一种用于控制半导体部件的方法。该半导体部件具有半导体主体和晶体管，晶体管被单片地集成在半导体主体中。晶体管包括第一子晶体管和第二子晶体管。第一子晶体管具有第一负载触头、第二负载触头、形成在第一子晶体管的第一负载触头和第二负载触头之间的第一负载路径以及用于控制经过第一负载路径的电流的第一控制触头。相应地，第二子晶体管包括第一负载触头、第二负载触头、形成在第二子晶体管的第一负载触头和第二负载触头之间的第二负载路径以及用于控制经过第二负载路径的电流的第二控制触头。第一子晶体管的第一负载触头以电气方式连接到第二子晶体管的第一负载触头。第一子晶体管的第二负载触头以电气方式连接到第二子晶体管的第二负载触头。另外，第一子晶体管具有第一接通状态电阻，并且第二子晶体管具有第二接通状态电阻。第一子晶体管在第一时间点接通，并且第二子晶体管随后在第二时间点接通。

根据本发明的另一方面，提供一种用于断开半导体部件的方法。该半导体部件具有半导体主体和晶体管，晶体管被单片地集成在半导体主体中。晶体管包括处于它的接通状态的第一子晶体管和处于它的接通状态的第二子晶体管。第一子晶体管具有第一负载触头、第二负载触头、形成在第一子晶体管的第一负载触头和第二负载触头之间的第一负载路径以及用于控制经过第一负载路径的电流的第一控制触头。相应地，第二子晶体管包括第一负载触头、第二负载触头、形成在第二子晶体管的第一负载触头和第二负载触头之间的第二负载路径以及用于控制经过第二负载路径的电流的第二控制触头。第一子晶体管的第一负载触头以电气方式连接到第二子晶体管的第一负载触头。第一子晶体管的第二负载触头以电气方式连接到第二子晶体管的第二负载触头。另外，第一子晶体管具有第一接通状态电阻，并且第二子晶体管具有第二接通状态电阻。第二子晶体管在第一时间点断开，并且第一子晶体管随后在第二时间点断开。

附图说明

参照下面的附图和描述能够更好地理解本发明。附图中的部件未必按照比例绘制，相反地，重点在于表示本发明的原理。此外，在附图中，相似标号指示对应的部分。在附图中：

图1是具有由控制电路控制的半导体部件的电路的电路图；

图2是可在图1的电路中使用的传输门（transfer gate）的电路图；

图3是可在图1的电路中使用的保护电路的电路图；

图4A是可在图1的电路中使用的第一子电路的电路图，第一子电路产生用于接通和断开第二子晶体管的信号；

图4B是可在图1的电路中使用的第二子电路的电路图，第二子电路产生用于接通和断开第二子晶体管的信号；

图4C是可在图1的电路中使用的第三子电路的电路图，第三子电路产生用于接通和断开第二子晶体管的信号；

图5是表示图1的电路的几个代表性信号的时序图；

图6是具有第一子晶体管和第二子晶体管的晶体管的部分的顶视图；和

图7是图1的电路的修改的电路图。

具体实施方式

在下面的详细描述中，参照附图，附图形成描述的一部分，并且在附图中作为说明显示了可实施本发明的特定实施例。在这个方面，参照正被描述的附图的方位使用方向术语，诸如“顶”、“底”、“前”、“后”、“首”、“尾”等。因为实施例的部件能够布置在许多不同的方位，所以为了说明的目的而使用方向术语并且方向术语绝不是限制性的。应该理解，可使用其它实施例，并且在不脱离本发明的范围的情况下可做出结构或逻辑变化。因此，不应在限制性的意义上进行下面的详细描述，并且本发明的范围由所附权利要求限定。应该理解，这里描述的各种示例性实施例的特征可彼此组合，除非具体地另外指出。

现在参照图1，表示了半导体电路。半导体部件30包括晶体管3，晶体管3被单片地集成在半导体主体35中。晶体管3具有第一子晶体管1和第二子晶体管2。例如，晶体管3以及第一子晶体管1和第二子晶体管2分别可以是DMOS(DMOS=双扩散金属氧化物)晶体管。然而，本发明不限于DMOS晶体管。也可使用任何种类的场效应晶体管。