[发明专利]压电陶瓷及其制造方法

权利要求书

1.一种压电陶瓷，其特征在于：

以100［（Sr_2－xCa_x）_1＋y/4Na_1－yNb_5－2/5zMn_zO₁₅］＋αSiO₂的组成式表示，并含有钨青铜结构的多晶，该多晶的c轴的取向度以Lotgering因子计为60%以上，式中，0≤x＜0.3，0.1＜y＜0.6，0＜z＜0.1，1＜α＜8。

2.一种压电陶瓷，其特征在于：

以100［（Sr_2－xCa_x）_1＋y/4Na_1－yNb_5－2/5zMn_zO₁₅］＋αSiO₂的组成式表示，并含有钨青铜结构的多晶，该多晶的铁弹性相变温度为50℃以上，式中，0≤x＜0.3，0.1＜y＜0.6，0＜z＜0.1，1＜α＜8。

3.如权利要求1或2所述的压电陶瓷，其特征在于：

-40℃以上、150℃以下的压电常数d₃₁相对于25℃中的值的变化率为40%以下。

4.如权利要求1～3任一项所述的压电陶瓷，其特征在于：

-40℃以上、150℃以下的机电耦合系数k₃₁相对于25℃中的值的变化率为70%以下。

5.如权利要求1～4任一项所述的压电陶瓷，其特征在于：

-40℃以上、150℃以下的压电常数d₃₃相对于25℃中的值的变化率为60%以下。

6.如权利要求1～5任一项所述的压电陶瓷，其特征在于：

-40℃以上、150℃以下的机电耦合系数k₃₃相对于25℃中的值的变化率为30%以下。

7.如权利要求1～6任一项所述的压电陶瓷，其特征在于：

振动速度达到0.62m/s为止的最大温度上升量为8℃以下。

8.如权利要求1～7任一项所述的压电陶瓷，其特征在于：

最大振动速度为1.6m/s以上。

9.如权利要求1～8任一项所述的压电陶瓷，其特征在于：

在能够驱动的振动速度的范围内，机械品质因数Q的变化率为8%以下。

10.如权利要求1～9任一项所述的压电陶瓷，其特征在于：

在能够驱动的振动速度的范围内，谐振频率的最大值和最小值之差相对于最小值为0.08%以下。

11.一种压电陶瓷的制造方法，其特征在于：

制作混合粉末，该混合粉末是在含有（Sr_2－xCa_x）_1＋y/4Na_1－yNb_5－2/5zMn_zO₁₅的组成式所示的钨青铜结构的结晶的粉末中以相对于该粉末100摩尔为α摩尔的比例混合SiO₂粉末而成的，式中，0≤x＜0.3，0.1＜y＜0.6，0＜z＜0.1，1＜α＜8，

制作通过施加磁场对所述结晶赋予了取向性的所述混合粉末的成型体，

通过使所述成型体烧结，制作所述结晶中的c轴取向度以Lotgering因子计为60%以上的烧结体。